最近，安森美半导体扩展了其宽禁带（WBG）设备的范围，推出了两个额外的碳化硅（SiC）MOSFET系列。此系列用于高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车的车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电站。
与硅相比，新型1200V和900V N沟道SiC MOSFET具有更快的开关性能和更高的可靠性。具有低反向恢复电荷的快速本征二极管可显着降低功率损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。
小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg（低至220 nC），从而降低了在高频下工作时的开关损耗。与基于Si的MOSFET相比，这些增强功能提高能效，降低电磁干扰（EMI），并可使用更少（或更小）的无源器件。与Si器件相比，极强固的SiC MOSFET具有更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性，减少器件导通时产生的静态损耗。
1200 V器件的额定电流高达103 A（最大ID），而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。
安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物，针对汽车应用的器件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程序（PPAP）。所有器件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。
