美国的安森美半导体公司推出了两款新的碳化硅（SiC）MOSFET器件，即工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101认证标准的汽车级NVHL080N120SC1，这把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到了重要的高增长终端应用领域，如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。
此次发布促进了安森美半导体SiC生态系统的发展，该生态系统包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及器件仿真工具，SPICE模型和应用信息等重要设计资源，可帮助设计和系统工程师挑战开发高频电路。
安森美半导体表示，其1200V、80mΩ规格的SiC MOSFET坚固耐用，可满足现代高频设计的需求。高功率密度与高效运行相结合能使设备占地面积更小，从而显着降低运营成本和整体系统尺寸。这些特性使需要的热管理更少，进一步减少物料单(BoM)成本、尺寸和重量。
新器件的关键特性和相关设计优势包括领先同类的低漏电流、具低反向恢复电荷的快速本征二极管，从而大大降低功耗，支持更高频率工作和更高功率密度，低导通损耗(Eon)及关断损耗(Eoff) / 快速导通及关断结合低正向电压降低总功耗，因此减少散热要求。低电容支持以很高频率开关的能力，减少恼人的电磁干扰(EMI)问题；同时，更高浪涌、雪崩能力和强固的短路保护增强整体强固性，提高可靠性和延长总预期使用寿命。
安森美半导体表示，其新型SiC MOSFET器件的另一个独特优势是获得专利的端接结构，增加了可靠性和坚固性，并增强了操作稳定性。 NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流，并提供高雪崩能力和抗短路能力。 符合AEC-Q101标准认证的MOSFET，可以被用于因增加的电子含量和动力系统电气化而出现的越来越多的车载应用。
