根据《IEEE电子器件快报》，南京邮电大学首次将发光二极管（LED）和增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成到硅基氮化镓（GaN）外延晶片上。该研究小组还展示了MOSFET在同一平台上控制氮化铟镓（InGaN）LED的能力。研究人员希望这种单片式光学电子集成电路（OEIC）可以实现智能照明、显示器和可见光通信（VLC）之类的应用。
硅衬底III型氮化物结构包括一个250nm InGaN / GaN多量子阱（MQW）层，该层夹在n型和p型GaN之间，用于发光二极管中，晶片的直径为2英寸，厚300μm。使用n-GaN作为源极和漏极形成晶体管，而沟道穿过未掺杂的GaN层。绝缘层和栅极电介质由100nm二氧化硅（SIO2）组成。通道长度为20μm，凹环中心的半径为135μm。蚀刻去除p-GaN和InGaN / GaN层。使用PECVD施加SiO2并通过反应离子蚀刻进行图案化。
在1V漏极偏置下，亚阈值行为非常差，研究人员希望通过四甲基氢氧化铵（TMAH）或氟处理来改善亚阈值行为，以减少凹槽侧壁的表面粗糙度。相比之下，阈值电压为6.01V，峰值跨导为3.78μS/ mm，导通电阻为7.96Ω-m，漏极偏压为0.1V。栅极和漏极泄漏电流分别为120nA / mm（0V漏极，12V栅极）和5μA/ mm（5V漏极，0V栅极）。
在直流测试中，在12V栅极电势下的最小导通电阻为5Ω-m。该团队评论说：“尽管与一些已发布的基于GaN的FET相比，其输出电流相对较低，但MOSFET仍可以满足众多低功耗应用的要求，尤其是用于电流从几微安到几百微安的微型LED。”
