《突破 | “强场超快光学”创新研究群体在片上集成超宽带定向耦合器研究取得重要进展》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: 胡思思
  • 发布时间:2024-12-11
  • 2024年12月5日,《Laser& Photonics Reviews》在线发表了陆培祥教授带领的“强场超快光学”创新研究群体在片上集成超宽带定向耦合器方面取得的最新研究成果 Ultrabroadband Light Coupling for Integrated Photonics via Nonadiabatic Pumping。

    光学定向耦合器利用光在波导之间的耦合实现光的分束和合束,是光子系统中最基本的光学元件之一,在片上光互联和光子集成等方面具有重要应用价值。传统光学定向耦合器主要基于两根并列波导之间的倏逝场耦合实现,然而由于波导结构的材料和模式色散,其工作带宽往往在100 nm以下,极大限制了工作带宽和信息传输容量,使得在波分复用、高速光互联等方面的应用存在物理瓶颈。尽管现有的一些实验方案提出了通过绝热输运、拓扑保护等原理提高光学定向耦合器的工作带宽,然而波导模式的绝热演化通常需要较长(100~1000μm)的波导结构,不利于实现高集成度的片上宽带光传输和耦合器件。

    针对这一关键问题,刘为为、王兵等提出基于非绝热拓扑泵浦实现片上超宽带定向耦合器的新机制。研究团队利用片上光波导构建了Aubre-Andre-Harper (AAH)模型,并在其中研究了非绝热情况下的光模式演化特性。研究发现,光波导模式的非绝热转换会降低不同模式的传播相位色散,使得波导阵列输出端模式在很宽的波长范围内能够保持与输入端模式近乎相同的相位分布,从而可以实现高效、宽带的边界态转换。基于该原理,研究团队在薄膜铌酸锂平台上构建了波导阵列结构并开展了实验研究。结果表明,绝热拓扑泵浦定向耦合器的1dB工作带宽可超过320 nm,即覆盖所有光通信波段,而耦合长度仅为50 μm,仿真计算表明该非绝热拓扑泵浦原理也适用于硅等高色散材料波导结构。进一步,研究团队在定向耦合器的基础上构建了多级光分束器,实现了宽带片上光分束和光路由,表明该方案在宽带集成的片上光互联和光网络方面具有重要应用前景。

    图. (a)定向耦合器显微图像;(b)非绝热拓扑泵浦定向耦合器与传统双波导定向耦合器的测试结果对比;(c)基于非绝热拓扑泵浦的宽带多级光分束器;(d)4级和(e)8级宽带片上集成光分束器的测试结果

  • 原文来源:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202401492
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    • 分子碰撞是气体介质中普遍存在的一种现象。分子间的碰撞对耗散环境中的分子动力学过程有着重要影响。揭示分子碰撞耗散过程背后的物理机制,对研究真实气体体系中的分子动力学过程具有重大意义。以往基于分子排列回声技术,研究者在实验上观测到分子碰撞耗散过程中的非久期效应,并证明这种效应能够在时域上减缓由分子碰撞诱导的退相干过程。然而,这种效应只会在碰撞耗散前几皮秒时间内对系统产生显著影响,随着时间延迟的增加,该效应会迅速衰减。 最近,兰鹏飞教授团队何立新副教授基于分子排列技术对分子碰撞耗散过程进行了深入研究。首先,他们在实验中采用双折射平衡探测技术(如图1),研究了低气压条件下纯N2气体、N2-Ar、N2-CO2以及N2-He气体混合物中N2分子排列信号衰减率随气体密度的变化。同时,理论上建立了久期和非久期量子模型,分别模拟了实验中的分子碰撞耗散过程。通过理论与实验对比发现,实验结果与非久期理论模拟结果更加吻合(如图2)。这一结果首次揭示了分子排列耗散过程中的非久期效应。进一步通过研究系统退相干过程,研究团队发现,低压气体介质中非久期效应对碰撞耗散过程的影响可以持续数十皮秒甚至更长,这也是为什么该效应能够通过周期较长的分子排列信号来探测。这一研究结果挑战了传统的观点,即非久期效应对分子排列碰撞耗散过程的影响只会存在于激光脉冲激发后数皮秒内,使人们对耗散环境中的分子动力学过程有了更深的认识。 图1:(a)N2分子与气体混合物碰撞示意图。(b)N2分子排列实验测量装置示意图。(c)实验测量的N2分子排列信号。(d)N2排列信号强度随时间的变化。通过对该结果进行指数拟合,可以获得分子排列信号的碰撞衰减速率 图2:实验测量(圆圈)的N2与Ar(a)、CO2(b)、He(c)气混合时,排列信号衰减速率随混合物气压的变化。虚线和点线分别为久期(S)和非久期(NS)量子模型模拟的结果。实验结果与非久期理论结果更加吻合,揭示分子排列耗散过程中的非久期效应
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    • 编译者:husisi
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    • 日前,吉林大学电子科学与工程学院超快光电技术研究团队在集成光子芯片领域取得重要进展,该研究成果以“Non-Abelian braiding on photonic chips”为题在线发表于《自然•光子学》。 飞秒激光直写技术是一种将脉冲激光光束聚焦于材料表面或内部,通过激光焦点与材料的非线性相互作用,引起材料性质改变的微纳加工技术。得益于其独特的加工方式,飞秒激光直写技术可以实现任意三维形状结构的加工制备,这给片上三维光子集成提供了可能。然而,当前成熟的片上光子器件的设计原理大多是面向二维芯片,面向第三个空间维度的研究仍然十分缺乏。将片上光子集成推广到三维,除了可以在物理空间上为提高器件的集成度提供直接解决方案,更可以提供新的物理自由度用于设计新型片上光子操控手段。 图.光子芯片上多个光子态的非阿贝尔编织实验 针对飞秒激光直写三维光子芯片的巨大应用潜力,研究团队提出并在芯片上成功验证了一种新型三维光子集成与操控机制??非阿贝尔编织机制,用于实现片上光量子逻辑等应用。非阿贝尔编织的概念最早在凝聚态领域被提出,用于实现受拓扑保护的量子计算。非阿贝尔编织本质上是实现一个幺正矩阵变换,因此可以利用光学体系中的贝里几何相位矩阵来实现这一操作。 沿着这一思路,研究团队在光子芯片上成功实现了多达五个光子模式的非阿贝尔编织现象,通过激光实验和单光子实验分别验证了非阿贝尔编织的重要特性---编织结果依赖于编织顺序,并通过巧妙的干涉实验提取了非阿贝尔规范势引起的贝里相位矩阵。该编织机制具有非常好的可拓展性,通过拓展编织模式的个数和编织步骤可以构造丰富的贝里相位矩阵,面向片上光量子逻辑等应用。未来通过拓展非阿贝尔编织机制到其它光学系统中,利用贝里相位矩阵作为新的自由度,将为研究者们提供更多的手段来操控光子。