《GaN系统推出最高电流的GaN功率晶体管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-03-05
  • 在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子展览会(APEC 2018)展位#1041(3月4日至8日),加拿大安大略省渥太华的GaN系统公司(一家基于氮化镓功率开关的无晶圆厂开发商用于功率转换和控制应用的半导体)正在推出它声称是最强大的氮化镓晶体管系列。

    该公司指出,随着功率水平的不断提高,氮化镓的优势可应用于汽车,工业和可再生能源行业更高的功率水平。

    首席执行官Jim Witham说:“这是市场上最关键的GaN产品,可以针对模块进行优化,并且兼容嵌入式和传统模块技术。作为我们旗舰产品的延伸,它涵盖了氮化镓技术和我们的氮化镓功率晶体管方法的所有优势,易用性,高功率密度和高效率,这会使电源系统尺寸更小,成本更低。”

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    • 在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子展览会(APEC 2018)展位#1041(3月4日至8日),加拿大渥太华的GaN系统公司(一家基于氮化镓功率开关的无晶圆厂开发商用于功率转换和控制应用的半导体)已经宣布它是最高电流和功率效率最高的100V GaN功率晶体管。 销售和市场副总裁Larry Spaziani说:“我们的技术路线图定位于满足日益增长的对100V和650V应用的最佳GaN技术解决方案的需求。新推出的100V,120A GaN E-HEMT以及我们最近推出的650V,120A GaN E-HEMT ,是我们推出的众多最新高性能GaN晶体管和解决方案之一。”该公司的目标是“持续提供旨在超越当今最苛刻应用中的电源系统效率和可靠性要求的产品”。
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    • 编译者:Lightfeng
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    • 香港科技大学(HKUST)报道了在硅(Si)衬底上的氮化镓(GaN)上生产的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。研究人员使用具有外延结构8英寸GaN-on-Si晶片,这些晶片设计用于650V常关p-GaN栅极功率高电子迁移率晶体管(HEMT)。 具有p通道的设备将支持互补集成电路(IC)设计,这将进一步减少逻辑控制系统中的功耗。科大的工作重点是使用通过镁掺杂获得的p-GaN材料。 在基板上实现的标准p-GaN栅极E型n沟道HEMT通常具有+ 1.7V的阈值电压和350mA / mm的导通电流,漏极偏置为5V,开/关电流比通常约为109。 HKUST p沟道器件是通过将500°C退火的镍/金欧姆源漏(SD)触点蒸发到p-GaN上而制造的,该p-GaN先前已经进行了5分钟的缓冲氧化物蚀刻,以改善硅的生长。栅极(G)凹槽由200nm等离子增强化学气相沉积(PECVD)SiO2硬掩模定义。使用感应耦合等离子体反应离子蚀刻形成p-GaN凹槽。根据原子力显微镜,氧等离子体处理将凹槽底部的表面粗糙度从0.36nm均方根增加到0.41nm。发现凹陷深度约为54nm,在沟道的AlGaN势垒上方留下约31nm的p-GaN材料。 向下的能带弯曲将推动凹陷栅下方的耗尽区以延伸穿过p-GaN层,到达AlGaN势垒。通过在0V栅极电势下关闭掩埋的p沟道,可以实现增强模式操作。 研究人员发现在所有p沟道GaN MOS-FET中,这项工作展示了高ION,高ION / IOFF以及最低亚阈值摆幅(SS)和E模式工作的结合。在具有四元反向势垒和肖特基栅极的平台上实现的器件具有出色的SS和ION,但在导通状态下会遭受较大的栅极泄漏。