《GaN Systems推出创纪录的100V / 120A GaN功率晶体管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-03-11
  • 在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子展览会(APEC 2018)展位#1041(3月4日至8日),加拿大渥太华的GaN系统公司(一家基于氮化镓功率开关的无晶圆厂开发商用于功率转换和控制应用的半导体)已经宣布它是最高电流和功率效率最高的100V GaN功率晶体管。

    销售和市场副总裁Larry Spaziani说:“我们的技术路线图定位于满足日益增长的对100V和650V应用的最佳GaN技术解决方案的需求。新推出的100V,120A GaN E-HEMT以及我们最近推出的650V,120A GaN E-HEMT ,是我们推出的众多最新高性能GaN晶体管和解决方案之一。”该公司的目标是“持续提供旨在超越当今最苛刻应用中的电源系统效率和可靠性要求的产品”。

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    • 编译者:Lightfeng
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    • 在美国俄勒冈州波特兰市的第10届IEEE能源转换大会暨展览会(ECCE 2018)上,加拿大渥太华的GaN Systems公司展示了其最新产品和设计工具,来扩展GaN功率晶体管的功能。GaN Systems是一家开发氮化镓基功率开关半导体来用于电源转换和控制应用的公司。 览会上展示了100V,120A,5mΩ的GaN E-HEMT器件(声称是最高电流和最节能的100V GaN功率晶体管);120A,650V,12mΩGaiE-HEMT(据称是世界上额定电流最高的GaN功率晶体管);和无线功率放大器(100W和300W),可以用于高功率消费,工业和运输应用中的无线充电。此外,还将展示简化设计过程的参考设计和评估套件。 该公司还提供应用演示,并专注于工业、汽车和可再生能源应用。
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    • 比利时微电子研究中心(Imec)开发了一种高性能硅基氮化镓MOSHEMT晶体管,在低电压下实现了创纪录的效率和输出功率。将接触电阻降至0.024Ω·mm,显著提升了性能。Imec表示,这一结果标志着将GaN技术集成到下一代移动设备中的关键一步,特别是6G移动设备的7-24GHz频段。研究结果将于6月8-12日在日本京都举行的2025年VLSI技术和电路研讨会上公布。