《EV与中芯宁波(NSI)合作,实现硅基砷化镓RF前端模组晶圆级微系统异质集成》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-04-14
  • 奥地利晶圆键合和光刻设备供应商EV集团与中国的中芯集成电路(宁波)有限公司合作开发了第一个砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成工艺技术平台。这是里程碑式的突破,可以为4G和5G智能手机和其他手机提供了所需的下一代高性能超紧凑型射频前端芯片组。

    NSI开发了高压模拟、射频和光电子应用的技术平台。开发支持客户进行IC设计和产品开发,适用于智能家居,工业和汽车电子,新一代无线电通信,AR / VR / MR和其他专业系统。

    作为战略合作项目的一部分,EVG为NSI提供临时键合/剥离(TB / DB)、永久键合、掩模对准光刻技术以及相关的特殊计量设备和工艺专业知识,中芯宁波将这些设备及其特种晶圆工艺专长相结合,开发出业界领先的晶圆级微系统集成技术(uWLSI ®)平台。

    uWLSI® 是中芯宁波自主开发的一种中后道特种晶圆制造工艺技术平台,适用于实现多个异质芯片的晶圆级系统集成以及晶圆级系统测试,同时也消除了在传统的系统封装中所需的凸块和倒装焊工艺流程。中芯宁波开发的uWLSI® 技术平台,正是为了满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成的迫切需求。

    EVG表示,其TB / DB系统在以超摩尔方法实现化合物半导体与硅器件的异构集成方面发挥着关键作用。EVG的掩模对准系统通过对载体安装和翘曲基板进行光刻图案化来支持晶圆级异质集成,这对μWLSI工艺至关重要。

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