德克萨斯州ECE的Jaydeep Kulkarni教授和范德比尔特大学的合作者最近收到了国防部（DoD）和美国海军的一笔拨款，用于“评估基于PTM的CMOS电路的辐射性能”。
在这项研究中，主要研究者Kulkarni与其来自范德比尔特大学的合作者Bharat Bhuva教授计划探索新型相变材料（PTM），以提高CMOS逻辑和存储电路的辐射强度。PTM器件在外偏压的作用下电阻会发生突变。与以前的方法相比，本文提出的基于PTM的电路是通过将PTM器件的后端（BEOL）集成到基线CMOS技术上，而不会导致有源硅区的增长。如果成功的话，这项研究可以显著提高国防部关键电子系统的抗辐射能力，同时将对功率和性能的影响降到最低。
Jaydeep Kulkarni是一名助理教授，在奥斯汀德克萨斯大学电气和计算机工程系担任AMD授予的计算机工程教授。他申请了35项专利，出版了2本书籍，并在相关期刊和会议上发表了75篇论文。他的研究重点是节能数字、内存和电源管理电路、新兴的纳米技术应用和数据密集型硬件加速器。他获得了2008年英特尔基金会博士奖学金，2010年普渡大学欧洲经委会杰出博士学位论文奖，2015年IEEE交易VLSI系统最佳论文奖，2015年SRC杰出工业联络奖。
