《宁波材料所在柔性氧化物神经形态晶体管研究方面取得进展》

  • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者: 冯瑞华
  • 发布时间:2018-11-30
  • “人工智能(AI)”是在上世纪50年代提出的,经历了缓慢的发展时期。然而,自2016年“AlphaGo”问世以来,目前AI已经成为了全球的研究热点之一,备受关注。值得注意的是,现有的AI技术主要基于传统冯·诺依曼架构,需要采用较为复杂的计算机代码才能实现,其计算模块与存储模块相分离,因此其并行运算能力有限,且能耗较高,对今后非结构化大数据的处理和计算而言,具有一定的局限性。同时,近年来,基于器件层面构建人工生物神经系统,也正在成为AI领域的一个重要分支。突触作为人脑认知行为的基本单元,是神经元间发生联系的关键部位,是构建人工神经网络的重要出发点。在突触仿生电子学方面,目前的研究主要包括两端阻变器件和三端晶体管,这类器件已经模仿了一些从简单到复杂的各种突触功能和神经元功能,有着潜在的应用前景。

      近日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所功能材料界面物理与器件应用团队在柔性神经形态器件研究方面取得了新的进展,其在未来柔性神经形态平台构筑上有着潜在的应用。他们在柔性PET衬底上制备了以壳聚糖薄膜作为栅介质的、具有学习行为的ITO突触晶体管,其在机械弯曲应力作用1000次后,器件各项性能参数保持稳定;在栅极偏压应力作用8000秒后,发现器件阈值电压呈现一定的漂移,说明研制的晶体管具备学习能力。随后,在研制的柔性ITO薄膜晶体管上模拟了三种突触功能:突触后兴奋电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)和尖峰时序依赖可塑性(STDP)。1968年,Atkinson和Shiffrin从心理学层面提出了“人脑多重记忆模型”:感知记忆(SM)到短时程记忆(STM)以及短程记忆到长时程记忆(LTM)的转化过程。该团队通过栅脉冲刺激频率和栅脉冲刺激强度的设计,在单一突触晶体管上实现了对“人脑多重记忆模型”的模仿。上述成果发表于ACS Applied Materials Interfaces, 2018, 10 (19), 16881-16886上(论文链接 https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.8b03274)。

      生理学上著名的“巴普洛夫狗条件反射”(即经典条件反射实验)是一类重要的联想学习行为,其反映了条件刺激和非条件刺激先后关系对神经元活性的影响行为,在单一器件上实现对这一联想学习行为的模仿是类脑神经形态器件的重要研究内容。值得指出的是,STDP学习法则是重要的突触学习行为,对神经系统认知行为具有重要作用,反映了前、后突触刺激对突触权重的影响规律,是调节高级神经活动的重要突触学习机制。可以看出,条件反射与STDP学习法则具有一定的相似性,受此启发,该团队研制了可重复粘贴的氧化物神经形态晶体管,采用透明聚酰亚胺(PI)胶带作为衬底,随后设计了不同波形的突触刺激,成功在单一器件上模仿了生物突触中的四类STDP学习行为,包括Hebbian STDP,反Hebbian STDP,对称STDP及视觉STDP。Hebbian STDP的测试曲线拟合参数与生物突触上实测的参数相近,表明该种神经形态晶体管具有类脑操作特性。基于STDP学习法则,无需外加复杂电路和元器件,即可在单一神经形态晶体管上实现对经典条件反射行为的模仿,包括信息的获取、消退和恢复。此外,还成功模拟了经典条件反射里的条件抑制行为,这也是神经形态器件研究中的首次报导。该成果以“Restickable Oxide Neuromorphic Transistors with Spike-Timing-Dependent-Plasticity and Pavlovian Associative Learning Activities”为题,发表于Advanced Functional Materials 2018, 28 (44) 1804025, (论文链接https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.201804025)

  • 原文来源:http://www.nimte.ac.cn/news/progress/201811/t20181126_5192849.html
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    • 人脑中有约个神经元和约个突触连接,突触结构是神经元间发生信息传递的关键部位,是人脑认知行为的基本单元,因此研制人造突触器件对于神经形态工程而言具有重要意义。近年来,类脑神经形态器件正在成为人工智能和神经形态领域的一个重要分支,将为今后人工智能的发展注入新的活力。目前,国际上报道的人造突触器件主要为两端阻变器件和三端晶体管器件。离子液和离子凝胶电解质具有独特的离子界面耦合特性及相关的界面电化学过程,其在神经形态器件和系统方面有着极强的应用前景。   中国科学院宁波材料所功能材料界面物理与器件应用团队在前期工作中,制备了具有室温质子导电特性的固态离子液电解质薄膜,并采用这类电解质作为栅介质制作了具有低工作电压的氧化物双电层薄膜晶体管(<1.5V),相关工作发表于IEEE Electron Dev.Letters,36(2015)799/38(2017)322等。这类室温质子导体还具有极强的侧向离子耦合特性,基于这一特性,设计了具有侧向耦合结构的氧化物双电层薄膜晶体管,克服了传统氧化物薄膜晶体管通常需要采用顶栅或底栅结构的限制,相关工作发表于Appl.Phys.Lett., 105(2014)243508, ACS Appl.Mater. Interfaces.,7(2015)6205等。基于器件的界面质子耦合特性,这类器件在类脑神经形态器件方面有着一定的应用价值,可以实现短时程突触塑性行为、双脉冲异化行为、时空信息整合和超线性/亚线性整合行为等,相关工作发表于Nat.Commu., 5(2014)3158, Appl.Phys.Lett., 107(2015)143502, ACS Appl.Mater.Inter., 8(2016)21770/9(2017)37064等。   最近,该团队及其合作者设计了氧化物神经形态晶体管,实现了对霍奇金-赫胥黎(Hodgkin-Huxley)膜电位行为的模仿。他们首先制备了多孔磷硅玻璃纳米颗粒膜,呈现了室温质子导电特性和双电层耦合行为,薄膜具有不同于传统热氧化SiO2栅介质的充放电行为。三明治结构(MIM)电容经过电流充电后,其电势呈现了短时程塑性行为和非易失性行为(长时程塑性行为)。生物突触通常由突触前膜、突触间隙、突触后膜组成,在膜生物物理中,生物突触膜通常可以采用霍奇金-赫胥黎(Hodgkin-Huxley)膜电位模型加以说明,脂质膜被等价为一个电容CLipid,脂质膜上存在一些离子通道,可以将离子泵和离子通道分别看成电源(En)和电阻(Gn)。而对于离子导体电解质,通常可以简化为电容(C)和电阻(R)的组合电路。因此,氧化物双电层薄膜晶体管与霍奇金-赫胥黎(Hodgkin-Huxley)膜电位模型存在相似之处。他们设计了具有双栅结构的氧化物双电层薄膜晶体管,器件的等效电路图与Hodgkin-Huxley等效电路类似。通过电脉冲刺激,在器件上测试了膜电位响应,包括静息电位、兴奋性/抑制性突触膜电位等。相关研究成果以“Hodgkin–Huxley Artificial Synaptic Membrane Based on Protonic/Electronic Hybrid Neuromorphic Transistors”为题,发表于Advanced Biosystems 2(2018)1700198上(论文链接 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adbi.201700198)。   该工作得到了国家自然科学基金委、中国科学院青年创新促进会、浙江省相关人才计划、宁波市科技创新团队等项目的资助。
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    • 近日,大化所碳资源小分子与氢能利用创新特区研究组(DNL19T3)孙剑、俞佳枫副研究员团队利用火焰喷射法(Flame Spray Pyrolysis , FSP)的高温淬火过程,将金属氧化物中的晶格氧锁定在亚稳态,从而大幅增强了晶格氧的活性,使CO氧化反应速率比传统催化剂的反应提高了10倍。相关研究成果已在线发表于《化学科学》(Chemical Science)。 由氧化物中晶格氧参与的氧化还原循环广泛存在于催化氧化反应中。其中,晶格氧的释放速率是反应的速控步骤,因此,增强晶格氧的活性,从而加速氧化还原循环,是促进催化氧化反应的重要手段。该团队巧妙地利用高温淬火的方法,在保证氧化物晶体稳定形成的同时,削弱了氧化物中金属—氧之间的相互作用,使晶格氧处于过饱和的亚稳定状态。新鲜制备的Ce-Zr固溶体氧化物中未发现氧空位,亚稳态的晶格氧可稳定存在,而在相对温和的条件下(如低温还原、真空处理、担载金属等)即可释放出大量活泼氧,为CO催化氧化反应提供更多的活性位。研究发现,与共沉淀法制备的Ce-Zr氧化物相比,采用FSP方法制备的氧化物所能提供的氧空位数量增加了19倍。该研究成果为新型氧化物催化材料的设计和应用提供了新思路。