《华为推出“算力核弹”CloudMatrix 384超节点 换道突破先进工艺》

  • 来源专题:集成电路与量子信息
  • 发布时间:2025-06-18
  • 在今年四月举办的的华为云生态大会2025上,华为宣布推出CloudMatrix 384超节点。基于384颗昇腾芯片构建,通过全互连拓扑架构实现芯片间高效协同,可提供高达300 PFLOPs的密集BF16算力,接近达到英伟达GB200 NVL72系统的两倍。

    制裁重压下,华为技术团队提出了“用数学补物理”、“非摩尔定律补摩尔定律”、“用系统补单点”等核心思想:基于实际可获得的芯片制造工艺,计算、存储和网络技术协同创新,开创计算架构,打造“超节点+集群”系统算力解决方案,长期持续满足算力需求。这个先进方案,让先进工艺显得不那么重要,给国内产业界带来了第二选择。

    近日,华为团队和硅基流动合著了一篇题为《Serving Large Language Models on Huawei CloudMatrix384》的文章。介绍了华为 CloudMatrix。(原文链接:https://arxiv.org/pdf/2506.12708)

    信息参考链接:https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzkzODE1NzE1MQ==&mid=2247582868&idx=2&sn=f41c6d6f85d5b5264b6489195e34a507&scene=0#wechat_redirect

  • 原文来源:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzg2NDgzNTQ4MA==&mid=2247785659&idx=2&sn=d6bbf62c4941fa2785e347de09357fed&scene=0#wechat_redirect
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    • 编译者:husisi
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    • 据报道,华为和中国 EDA 公司开发了一种集成电路(IC)设计自动化平台,用于生产制程节点小至 14nm 的半导体芯片。 据媒体报道,该技术的评估和测试应于今年完成。 如果测试和评估成功完成,中国可能会朝着克服美国政府对其半导体产业的制裁迈出一大步。 14nm 是中芯国际使用的最先进的工艺节点,中芯国际运营着中国最大的半导体代工厂。新的 EDA 工具应涵盖中国工业、汽车和消费应用所需的大部分芯片。 新的 EDA 工具,如果像报道的那样可行,也可能给 EDA 行业领导者 Synopsys,Cadence Design Systems 和 Siemens EDA(前身为 Mentor Graphics)带来麻烦,所有这些都位于美国,并受到美国政府对中国出口限制的约束。 这些限制目前只影响他们最先进的技术,即用于设计从 3nm 开始的全环栅晶体管的软件。 Cadence 和 Synopsis 最近在中国的销售额约占 15%,两家公司的总销售额都以两位数的速度增长。然而,Synopsys 本财年对投资者的指导假设美国政府的出口管制不会进一步变化,而 Cadence 指出其地理收益组合可能会发生重大变化。 Mentor Graphics 在被西门子收购后于 2017 年退市,现在是该公司数字工业部门的一部分,西门子 EDA 似乎正在与其两个主要竞争对手保持一致,这三家公司合计占全球 EDA 行业收入的 75% 左右。 除华为外,从事 EDA 开发的中国公司还包括 Empyrean Technology,X-Epic,Cellixsoft,Xpedic 等。Empyrean 提供模拟和混合信号 IC,SoC 和平板显示器(FPD)设计解决方案,是最先进的。 根据 Digitimes 的一份报告,与三星代工合作的 23 家 EDA 公司中有 8 家是中国的,他们通过技术和有竞争力的价格实现了这一地位。美国人对中国压低价格以抢占市场份额的担忧开始成为现实。 中国 EDA 产业的下一个目标节点将是 7nm,这是目前该国光刻能力的极限。由于禁止向中国出口 EUV 光刻设备,因此较小节点的进入壁垒急剧上升。 与此同时,半导体设计和相关的光刻技术也在前沿迅速发展。2022 年 10 月,研究机构 TrendForce 写道,如果目前的趋势继续下去, 「... 中国在 10nm 以上的工艺中实现半导体自主化并不困难" 「致力于 SoC、云计算芯片、GPU 发展的中国本土 IC 设计人员,为了满足产品升级的迭代需求,注定要转向更先进的制造工艺,并有望在未来 2-4 年内走向 4nm 制造工艺」 但美国对 EDA 软件的限制影响「预计将在 2025 年逐步显现,不仅推迟了一些中国国内 IC 设计人员的开发进度,甚至造成发展停滞。 随着华为 14nm EDA 工具的公布,这一预测直接指向下一个战场。 3 月 21 月,全球领先的 GPU 设计商 Nvidia 宣布推出一个名为 cuLitho 的新软件库,为计算半导体光刻技术带来加速计算。 CuLitho 使用当前解决方案所需功率的一小部分将光掩模的生产速度提高三到五倍。随着芯片制造商转向 2nm 及以下制程,它应该会带来更好的设计规则,更高的密度和更高的良率。 该技术是与 Synopsys(全球最大的 EDA 公司)、ASML(EUV 光刻设备的垄断生产商)和台积电(世界领先的 IC 代工厂)合作开发的,历时 4 年。台积电计划从 6 月开始生产。 根据 Techopedia 的定义,软件库是一套用于开发软件程序和应用程序的数据和编程代码。光刻是在硅晶圆上创建 IC 设计的过程。光掩模是设计模板。 ASML 对计算光刻的解释如下: 「在平版印刷过程中,光的衍射以及 [晶圆上] 感光层中的物理和化学效应会使机器试图打印的图像变形(可以想象这是试图用宽水彩画笔画一条细线)。 「计算光刻使用制造过程的算法模型,使用来自我们机器和测试晶圆的关键数据进行校准...... 为了优化扫描仪(光刻机)、掩模和工艺,以提高设备的可制造性和产量... 「如果没有计算光刻技术,芯片制造商就不可能制造出最新的技术节点。 参与 cuLitho 开发和应用的高层管理人员对这项技术有这样的看法: 英伟达首席执行官黄仁勋(Jensen Huang)表示:「随着光刻技术达到物理极限,英伟达引入 cuLitho 以及与我们的合作伙伴台积电、ASML 和 Synopsys 的合作,使晶圆厂能够提高产量,减少碳足迹,并为 2nm 及更高层奠定基础。」 台积电首席执行官 CC Wei 博士表示:「cuLitho 团队通过将昂贵的操作转移到 GPU 上,在加速计算光刻方面取得了令人钦佩的进展,这一发展为台积电在芯片制造中更广泛地部署逆光刻技术和深度学习等光刻解决方案开辟了新的可能性,为半导体规模的持续发展做出了重要贡献。」 ASML 首席执行官 Peter Wennink 表示:「我们计划将对 GPU 的支持集成到我们所有的计算光刻软件产品中,我们与 NVIDIA 在 GPU 和 cuLitho 上的合作应该会为计算光刻带来巨大的好处,从而为半导体微缩技术带来巨大的好处,在高数值孔径极紫外光刻时代尤其如此。」 Synopsys 首席执行官 Aart de Geus 表示,计算光刻,特别是光学接近校正(OPC),正在推动最先进芯片的计算工作负载的界限,通过与我们的合作伙伴 NVIDIA 合作,在 cuLitho 平台上运行 Synopsys OPC 软件,我们将时间从几周缩短到几天。 光学接近校正可补偿由光衍射或过程效应引起的误差,以提高光刻的精度。ASML 的高数值孔径 EUV 光刻系统计划于 2025 年进行大批量生产。
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    • 作者:陈菲   来源:中国化工报 中化新网讯 6月13日,中国科学院大连化学物理研究所大连光源科学研究室与中国科学院高能物理研究所联合完成了我国首台高品质因数1.3GHz超导加速模组的研制、总装和整体调试。这标志着大连先进光源预研项目研制工作攻克了一项关键核心技术。   大连先进光源是在辽宁大连布局建设的世界上最亮且波长完全可调的极紫外自由电子激光光源,有望推动能源化学、原子分子物理、先进材料等学科领域,以及相关高技术产业精密加工和尖端制造的发展。其中,1.3GHz超导加速模组是大连先进光源预研项目超导直线加速器中的关键核心部件,集成了超导高频技术、超导磁体技术、超流氦低温技术、超高真空技术和精密机械工程于一体。其内部涉及近1万个零部件,装配精度高、难度大。   经过3年时间的不懈努力,联合研发团队共进行了多轮组装和测试,反复摸索并攻克了在腔串洁净组装、模组总装集成、降温和老练测试中遇到的诸多技术难题,并进行了多项模组结构优化改进和工艺创新。   在中国科学院高能物理研究所召开的“高品质因数1.3GHz超导加速模组”成果鉴定会上,由詹文龙院士、邓建军院士等组成的专家组一致认为,项目组在高品质因数1.3GHz超导加速模组研发上取得了重大突破和创新成果,在国际上率先实现了中温退火高品质因数超导腔模组技术路线,具有完全自主知识产权,模组性能处于国际领先水平。该成果为我国建设国际领先的连续波电子加速器完成了高品质因数超导腔及模组关键技术和样机验证,具有重大的实际意义和广阔的应用前景。   据介绍,该成果得到了大连先进光源预研、高能环形正负电子对撞机预研、北京市先进光源技术研发与测试平台、高性能连续波1.3GHz超导腔研究测试平台等项目的支持。