今年VLSI大会上芯片制造领域的最新进展包括晶圆厂数字孪生、先进逻辑晶体管和互连的未来、超越 1x 纳米节点的 DRAM 架构等。
1. 北京大学的FlipFET设计最受关注，该设计展示了一种新颖的图案化方案，可以实现与CFET类似的PPA，而无需单片或顺序集成的难题。
2. DRAM 在其五年发展路线图上有两个拐点：4F2和3D。目前已使用十多年的6F2只能扩展到 1D 节点。鉴于 1C 现已量产，1D 应该会在未来 1-2 年内问世。SK 海力士强调了超越 1D 节点的几个关键挑战。
3. 由于SRAM位密度不再随着新工艺节点的提升而提升，台积电研发部门试图重振eDRAM，以提高芯片缓存密度。
4. 美光公司的 NVDRAM（NV 代表非易失性）在2023 年 IEDM上首次亮相 18 个月后再次浮出水面。这是他们采用 4F2 架构、钌字线和 CMOS 底层阵列的铁电 (HZO) DRAM 。
5. 二维沟道材料预计将成为 GAA 架构的下一个演进步骤之一。台积电、英特尔和三星皆介绍了相关最新研究进展。
6. 环栅技术已不再是逻辑领域的“下一个大趋势”，而是正在向大规模量产迈进。Forksheet 和 CFET 已成为激动人心的下一代架构的标杆。
7. 最精彩的论文是英特尔的18A演示。这是首次详细公开展示真正意义上的大批量背面电源工艺。
8. 数字孪生：从原子到晶圆厂。半导体设计和制造正变得越来越复杂，这不仅增加了开发成本，还延长了设计周期。数字孪生技术能够在加速的虚拟环境中进行设计探索和优化。借助数字孪生技术，工程师可以在任何硅片进入晶圆厂之前确保设计能够正常工作。
