《iPhone 8 将引进高端激光器 打造顶级 AR》

  • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者: 姜山
  • 发布时间:2017-06-20
  • 来源:威锋网

    在今年的 WWDC 开发者大会上,ARKit 横空出世,成为大会亮点之一,这是 iOS 系统首次融入 AR 智能科技,该技术支持 iOS 11 iPhone 和 iPad 将电脑生成的图像覆盖到现实世界物体上。由此人们不禁幻想,今年的 iPhone 8 是否真的有望整合 3D 传感功能和增强现实技术。

      其实通过苹果发布的新系统,我们不仅可以窥探苹果进军某一领域的野心,与其合作的供应商也会在侧面反映出其未来发展的计划。昨日,Loup Ventures 公司分析表示菲尼萨(Finisar)将会为 iPhone 8 提供 VCSEL 激光器,iPhone 8 会给用户提供更多丰富的 AR 体验。而根据之前 Fast Company 的报道也有提到过,Lumentum 和 II-VI 公司也都将会为 iPhone 8 提供部分的激光器,这三家公司的加入,均表明 iPhone 8 追求的是 AR 应用的顶尖水平。

      最近几年苹果在增强现实领域进行了大量投资,收购了 PrimeSense、FaceShift 和 Metaio 等公司。苹果 CEO 库克也曾不止一次在公开场合表达过对 AR 的兴趣,他认为 AR 将是未来手机功能的发展趋势,甚至会比 VR 技术更优秀,更重要。我们有理由相信,未来的 iPhone 配备 AR 增强现实功能,只是时间问题罢了。

     

相关报告
  • 《氮化镓激光器联合实验室揭牌成立》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2022-12-02
    • 11月29日上午,苏州半导体激光创新研究院与中国科学院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”在苏州长光华芯正式揭牌成立。苏州高新区管委会副主任、副区长吴旭翔,科技城党工委副书记、管委会主任杨亮,高新区科创局局长李伟,中国科学院苏州纳米所党委书记邓强、技术转移中心主任冀晓燕、研究员刘建平,苏州半导体激光创新研究院董事长闵大勇、院长王俊、常务副院长李顺峰等出席活动。 苏州半导体激光创新研究院董事长闵大勇致辞表示,“氮化镓激光器联合实验室”揭牌成立意义重大。长光华芯正处于上市后的快速发展阶段,建设“氮化镓激光器联合实验室”是研究院围绕核心的半导体激光器领域所做的一个重要的横向业务扩展,将目前长光华芯公司核心的半导体激光器从短波红外和近红外领域拓展到可见光领域。我们的合作伙伴中国科学院苏州纳米所在氮化镓激光器拥有十多年深厚的研究基础。我们相信,乘着“太湖光子中心”产业创新集群建设的东风,我们双方的合作,是“东纳米”和“西光子”的一次强强联手,未来必将开花结果,填补又一项国内技术空白,从源头实现又一应用领域激光芯片的国产化,促进光子产业蓬勃发展。 中国科学院苏州纳米所党委书记邓强致辞表示,要发展半导体及光电子,既需要研发能力,也需要区域聚集,纳米所从建立开始一直围绕国家重大需求,但是技术强、体系弱,长光华芯拥有良好的科研平台,也有对市场需求敏锐的嗅觉,这是科研项目产业化的典型,从区域聚集的角度看,苏州有良好的科研和产业基础,希望通过联合实验室的建立,围绕国家重大需求,强化前端的技术科研能力、后端技术、工艺、质量水平,通过市场需求引导定向技术研究,通过前端技术突破,提升产品水平,形成良性循环,促进市场牵引和成果转化,打造最强的创新联合体! 苏州高新区管委会副主任、虎丘区副区长吴旭翔致辞表示,当前,苏州高新区正全力建设世界级光子创新中心,打造千亿级光子产业创新集群。受大国竞争、科技变革叠加新冠肺炎疫情的冲击,光电子产业更加重视产业链的安全稳定。中国科学院纳米所与苏州半导体激光创新研究院从产业需求凝练科学问题,构建产业科研联合创新体,强强联合、优势互补,联合建立“氮化镓激光器联合实验室”,将有力推动“东纳米”和“西光子”在高端创新资源的强强联合与优势互补,打造“太湖光子中心”建设样板范例。 氮化镓激光器联合实验室 氮化镓是第三代半导体中具有代表性的材料体系,氮化镓蓝绿光激光器未来在激光显示、有色金属加工等诸多领域都有巨大的应用优势以及不可替代的作用。基于氮化镓的蓝绿光激光器是第三代半导体光电器件中最具技术难度和产业高度的关键产品,目前在国内还属空白。 氮化镓激光器联合实验室依托研究院与纳米所双方各自在光电器件、半导体材料、微纳加工等领域具备较强的竞争优势,通过长光华芯对行业的理解和认知,以氮化镓激光器的前沿物理基础和技术研究为牵引,整合纳米所学科力量,攻坚克难,共同凝练并合作开展相关方向的导向性研究,率先填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器等第三代半导体光电器件领域的空白,全力构建中国激光产业链的完整性、领先性。 苏州半导体激光创新研究院院长王俊介绍了苏州半导体激光创新研究院建设总体思路以及支持太湖光子中心建设的计划。研究院秉持“一平台,一支点,横向扩展,纵向延伸”的发展战略,围绕光电与化合物半导体开展业务拓展与投资孵化工作,目前公司拥有砷化镓、磷化铟和氮化镓三大材料体系,2寸GaN激光器研发能力以及3吋磷化铟和6吋砷化镓激光器的生产线。未来,长光华芯将继续对标国际顶尖水准,打造基于多种化合物半导体的光电与电子器件的材料、工艺以及封装技术开发的先进器件研发和产业化平台。平台建设完成后,激光芯片和器件生产能力将实现质的飞跃,研发和工艺平台具备支持全系列化合物半导体器件的研发和生产能力。在目前国际领先的6吋化合物生产线基础上,推动研发硬件条件以及研发生产水平全面达到国际顶尖,具备多领域的国产器件与模块进口替代能力,全力构建政府、资本、产业、区域、研究所及企业、上下游创新协同、供应链互通的新一代中国激光国产化产业生态链,推动我国激光产业技术创新发展。 中国科学院苏州纳米所刘建平研究员介绍了氮化镓激光器联合实验室未来工作计划。纳米所团队深耕十多年,在国内率先研制出氮化镓蓝光和绿光激光器。联合实验室集合了纳米所的研发团队和技术能力,长光华芯全球领先的激光芯片IDM全流程工艺平台和生产线,强强联合,必将打破氮化镓激光芯片依赖进口的局面,力争太湖光子中心成为氮化镓激光芯片国产化首发地。 未来,苏州半导体激光创新研究院将持续加大在氮化镓激光器技术领域的资源投入,以获取持续发展的动能与活力,也将以联合实验室为契机,进一步升级合作伙伴关系,不断扩展、延伸产品技术合作领域,夯实中国激光产业链的基石与源头。
  • 《硅基连续波QDash激光器》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-12-06
    • 中国香港科技大学(HKUST)宣称制造了首个硅基连续波(CW)C波段(?1580nm波长)QDash激光二极管,其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外,此类器件还可以用于光检测和测距(LiDAR)组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓(GaAs),作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环,可降低此缓冲区中的缺陷密度,并将x射线衍射(XRD)摇摆曲线半最大宽度(FWHM)从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中,平面Si(GoPS)上GaAs的均方根(RMS)表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长:445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP,超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜(TEM)分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值,标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”(DWELL)QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间,即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制,改变折射率对比和层厚度,研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长,点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高,从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C,样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制,但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器,生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中,第一台面终止于有源区上方,第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前,将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波(CW)工作时不会发光。同样,样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下,样品B激光二极管的特征温度(T0)反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化(脊向下一步形成到n-InP触点)使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中,可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大,发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成,支持多种Fabry-Perot模式。