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《日本东北大学等机构研究人员开发出了一种新型自旋电子器件，可用于新型AI硬件》

  • 来源专题：先进材料
  • 编译者： 李丹
  • 发布时间：2025-02-13

  • 转自全球技术地图

    据Tech Xplore 2月6日消息，日本东北大学等机构研究人员开发出了一种新型自旋电子器件，可用于新型AI硬件。该器件可以实现非共线反铁磁体和铁磁体的电气相互控制。这意味着该器件可以高效切换磁态，以更少的能量存储和处理信息。研究人员采用非共线反铁磁体Mn3Sn作为核心磁性材料。通过对Mn3Sn施加电流产生自旋电流，利用磁自旋霍尔效应驱动相邻的铁磁体CoFeB的切换。铁磁体不仅会响应自旋极化电流，而且还会影响Mn3Sn的磁状态，实现两种材料之间的电相互切换。该研究为提高人工智能芯片的能源效率和最大限度地减少其对环境的影响开辟了新的途径。相关研究成果发表于《Nature Communications》期刊。

  • 原文来源：https://phys.org/news/2025-02-ai-hardware-horizon-electrically-programmable.html
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