《木林森:国内半导体光电器件制造业处较快增长态势》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2019-12-17
  • 11日,木林森宣布拟发行26.6亿元可转债的公告,募资资金投资发展发行26.6亿元可转债的公告,募资资金投资发展LED封装、电源及照明等应用产品项目。

    13日,木林森在全景网举行了可转债发行网上路演,在互动交流过程中,木林森表示,目前公司本部主要产品保持了较高的产销率,产销情况良好,但是随着公司经营规模不断扩大,现有生产线及产能基本处于高负荷状态,不能完全满足公司未来业务发展的需要,故公司拟募集资金增加投入,扩大LED高性能封装、LED照明应用及配套电源等产品的产能。

    目前,公司主要产品产能利用率为80%左右。上半年,随着新建产能的逐步释放以及2018年质量事故的直接影响逐步消除,公司SMDLED的毛利率开始逐步回升。2019年第二季度木林森本部主营业务毛利率为24.98%,较2019年第一季度环比提升5.54个百分点,木林森本部的毛利率处于逐步修复和回升的趋势中。

    木林森还指出,LED行业是国家重点支持行业。为支持LED产业健康快速发展,以适应经济发展方式转变的需要,近年来国家陆续制定了许多相关产业政策及战略规划。在国家产业政策扶持及企业自身技术不断创新等因素推动下,近年来国内半导体光电器件制造业一直处于较快增长的态势。

    木林森称,未来将通过加快智能制造、转型升级,加强技术创新、管理创新等手段,在巩固封装领域领先地位的同时,努力拓展海外市场,通过朗德万斯的品牌及渠道,实现公司“产品高端化、制造智能化、市场国际化”的发展战略。

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  • 《功率半导体持续进化:碳化硅材料快速增长,汽车缺芯问题存在误解》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2022-04-20
    • 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换。大部分情况下,电能往往无法直接使用,需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。 目前,国内生产功率半导体的企业包括士兰微(600460.SH)和斯达半导(603290.SH)等。士兰微董事会秘书办人士于4月14日告诉记者,从普通的家电到高铁都会用到功率半导体,不同产品应用的功率范围不一样。目前功率半导体的主要发展趋势之一是耐压越来越大。 斯达半导在4月9日发布的2021年年报中表示,随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的消费,促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。 近年来,汽车产业频频传出“缺芯”的问题。而上述士兰微人士认为,汽车“缺芯”的问题存在误解。某些环节的芯片在某些时候会出现短暂的供不应求,不过这个问题被放大了。 士兰微2021年年报信息显示,该公司2021年营业收入为71.94亿元,同比增长68.07%;归属于上市公司股东的净利润为15.18亿元,同比增长2145.25%。而根据斯达半导的年报,该公司2021年营业收入约为17.07亿元,同比增长77.22%;归属于上市公司股东的净3.98亿元,同比增长120.49%。 IGBT成为代表性产品碳化硅材料快速增长 上述士兰微人士告诉记者,功率半导体的功能可以理解为主要用于调节电压电流。功率半导体应用于不同的电子器件,包括从普通的家电到高铁等。不同器件的功率范围不一样,而应用于家电的和用于高铁的属于不同的级别。 斯达半导也在年报中介绍称,功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能处理的核心器件,是弱电控制与强电运行间的桥梁,细分产品主要有MOSFET、IGBT、BJT等。(MOSFET:金属氧化层半导体场效晶体管,是高输入阻抗、电压控制器件;BJT:双极型晶体管,是低输入阻抗、电流控制器件;IGBT:绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件) 斯达半导表示,IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一。受益于工业控制、新能源、新能源汽车等领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模将持续增长。到2025年,预计中国IGBT市场规模将达到522亿人民币,年复合增长率达19.11%,是细分市场中发展最快的半导体功率器件。2021年,IGBT模块的销售收入占斯达半导主营业务收入的94%以上,是公司的主要产品。 士兰微人士向记者介绍称,从形态上来看,功率半导体有芯片和模块两种形态,模块是多个芯片和电子器件形成的组合。比如,IGBT是电源的辅助装置,功耗往往都比较高,用于分配调节电压电流。在新能源汽车中,每个电驱会用到一个IGBT模块。 斯达半导则表示,IGBT作为一种新型功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件。其作用类似于人类的心脏,能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。因此,IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。 功率半导体还应用于光伏的逆变器,光伏逆变器的主要功能为将太阳能电池组件产生的直流电转化为交流电,并入电网或供负载使用。安信证券分析师马良在近日的研报中称,IGBT广泛应用于光伏逆变器中,占逆变器价值量的20%-30%。以往光伏逆变器中的功率器件一般采用MOSFET,而MOSFET的通态电阻会随着电压的升高而增大,增加开关损耗,逐渐不适合使用于高压大容量的系统中。IGBT因其通态电流大、耐高压、电压驱动等优良特性,在中、高压容量的系统中更具优势,目前已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件。 功率半导体的材料也在发生变化。根据斯达半导的介绍,近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高临界击穿电场等优异的性能而备受关注。其中碳化硅功率器件受下游新能源汽车等行业需求拉动,市场规模增长快速。(记者注:禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,反映了半导体中价电子被束缚强弱程度的一个物理量) 根据马良的介绍,碳化硅材料热导率以及禁带宽度高于硅材料,采用碳化硅器件可减小逆变器的体积和重量。碳化硅的导热率是硅的3.3倍,且禁带宽度为硅的3倍,保证碳化硅可以在更高温度环境下工作。半导体材料的禁带宽度决定其器件的工作温度,材料禁带宽度的值越大,器件的工作温度也就越高。在高达600摄氏度的温度下,碳化硅器件仍然可以正常工作。硅在175摄氏度左右就无法正常运行,在200摄氏度时会变成导体,而碳化硅直到1000摄氏度左右才发生这种情况。 斯达半导表示,2021年该公司在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业、光伏行业推出的各类碳化硅模块得到进一步的推广应用。士兰微也表示,该公司碳化硅功率器件的中试线已在2021年上半年实现通线。目前,该公司已完成车规级SiC-MOSFET器件的研发,正在做全面的可靠性评估,将要送客户评价并开始量产。士兰微目前在厦门公司建设一条6英寸碳化硅功率器件芯片生产线,预计在2022年三季度实现通线。 缺芯问题被误解?相关产品研发生产扩张中 自去年以来,汽车产业频繁出现“缺芯”消息。而上述士兰微人士却向记者表示,大家对汽车缺芯的问题可能有些误解。 该人士认为,芯片分为很多种类,不同的芯片用于不同的场景和环节。可能某些环节的芯片在某些时候会出现短暂的供不应求,不过这个问题被放大了。而且功率半导体的产线比较复杂,和普通产品的产线不同,每年产能并不是固定的。 “整个芯片产业有上万亿元,首先要搞清楚缺的是什么‘芯’。只是泛泛地用‘缺芯’这样一个词语来形容目前汽车芯片产业的状况其实没有意义。”该人士表示。 关于功率半导体的产线,斯达半导在年报中称,生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产三个阶段。比如,在芯片和模块设计阶段,公司完成IGBT等功率芯片和功率模块的设计;在芯片外协制造阶段,公司根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂制造自主研发的芯片,公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程,不承担芯片制造环节;在模块生产阶段,公司将单个或多个功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内。 而相比之下,士兰微采用的是“设计制造一体”(IDM)的经营模式。士兰微在年报中表示,作为IDM公司,该公司带有资产相对偏重的特征,在外部经济周期变化的压力下,也会在一定程度上承受经营利润波动的压力。但是相对于轻资产型的设计公司,该公司在特色工艺和产品的研发上具有更突出的竞争优势,实现了特色工艺技术与产品研发的紧密互动,以及集成电路、功率器件、功率模块、微机电控制系统传感器、光电器件和化合物芯片的协同发展。 根据斯达半导的年报,2021年该公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块合计配套超过60万辆新能源汽车,其中A级及以上车型配套超过15万辆。同时,该公司的车用空调、充电桩、电子助力转向等半导体器件份额也有所提高。 “2021年公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块开始大批量配套海外市场,预计2022年海外市场份额将会进一步提高。”斯达半导表示。 上述士兰微人士告诉记者,功率半导体的主要发展趋势之一是耐压越来越高。斯达半导也在年报中表示,2021年该公司在650V、750V以及1200V车规级IGBT的研发生产上均有突破。士兰微在年报中亦表示,2021年该公司自主研发的第五代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在国内多家客户通过测试,并已在部分客户批量供货。目前公司正在加快汽车级和工业级功率模块产能的建设。(记者注:FRD指快恢复二极管,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管) 根据士兰微的年报,2021年该公司分立器件(具有单独功能且功能不能拆分的电子器件,功率半导体属于分立器件的一类)产品的营业收入为38.13亿元,较上年增长73.08%。分立器件产品中,MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块、肖特基管、稳压管、开关管、TVS管(瞬态二极管)、快恢复管等产品的增长较快。 除了新能源汽车、光伏领域之外,功率半导体还广泛应用于家电中,比如IPM(智能功率模块)。士兰微介绍称,2021年公司IPM模块的营业收入突破8.6亿元人民币,较上年增长100%以上。目前,该公司IPM模块已广泛应用到下游家电及工业客户的变频产品上,包括空调、冰箱、洗衣机,油烟机、吊扇、家用风扇、工业风扇、水泵、电梯门机、缝纫机、电动工具,工业变频器等。2021年国内多家主流的白色家电整机厂商在变频空调等家电上使用了超过3800万颗士兰微的IPM模块,较上年增加110%。
  • 《国内半导体进口量暴增36%》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2021-03-11
    • 据南华早报报道,国内半导体和二极管进口在1月至2月期间激增,达到六个月以来的最高同比增长率,其原因是国内的经济复苏推动了对计算机和智能手机等电子产品中使用的核心部件的需求。 据中国海关总署周日发布的数据显示,今年前两个月,中国进口了964亿半导体器件,比去年同期增长了36%。在两个月的时间里,二极管的进口同比增长了59%,达到996亿只。 但是,1-2月半导体进口量环比下降了11%,数据显示,2020年11月至12月期间,国内的半导体进口量为1083亿。 2021年头两个月进口半导体的增长可能部分是由于与去年同期相比基数较低,当时冠状病毒大流行对世界第二大经济体造成了严重破坏。 在进口速度加快的同时,去年下半年开始出现的全球芯片短缺问题最近又阻碍了一些领先的美国和欧洲汽车制造商的生产。此后短缺一直蔓延到消费电子领域,给诸如使用IC驱动器芯片的显示面板等产品增加了价格压力。 尽管晶圆厂发誓要迅速提高产能,但业内专家警告说,供不应求不能通过“翻转开关”来解决。 美国半导体行业协会半导体行业协会在最近的一份报告中说:“半导体制造不适合需求的快速和大变动,因为要增加半导体生产需要时间。” 在这种背景下,中美正在探索通过增加政府在国内半导体制造上的支出来更好地保护其半导体供应链完整性的方法。拜登政府正在寻求370亿美元的资金,以立法支持美国增强芯片制造。 中国每年的芯片进口额超过3000亿美元,已成为世界领先的半导体市场之一。2020年,在Covid-19逆境中,来自中国自己的半导体制造业的收入达到了人民币8,850亿元(约合1,361亿美元),同比增长20%,是全球同行的三倍。中国半导体工业协会的数据表示。