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《Lam Research开发出通过化学反应制作极紫外光刻胶薄膜技术》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： shenxiang
  • 发布时间：2020-03-04

  • 美国 半导体 设备厂商 Lam Research 开发出通过化学反应制作极紫外光刻胶 （ EUV PR ）薄膜的技术。通过该技术比在晶圆上涂液体光刻胶，能实现更高的分辨率并节减费用。目前在液体 EUV PR 和涂布市场主要被日本厂商垄断。预计三星电子等受日本出口限制 EUV PR 供应受影响的韩国半导体厂商对该技术将会比较关注。

    根据韩媒 ETNews 报道，Lam Research 在 26 日由国际光工学会（SPIE）在美国圣何塞举行的尖端曝光工程学会上介绍了“Dry resist”技术。该技术由 Lam Research 与荷兰曝光设备厂商 ASML，比利时半导体研究中心 IMEC 共同开发而出。

    Dry resist 用于作为半导体核心技术的曝光工程之前。通过光反复刻录半导体电路的曝光工程进行之前，半导体厂商会在晶圆上涂抹与光反应的液体光刻胶。目前通过旋转涂布的方式进行光刻胶涂布。旋转晶圆的同时，利用将液体光刻胶滴几滴到晶圆上可以形成均匀厚度的 Track 设备。该设备主要由日本 TEL 生产。

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    • 编译者：Lightfeng
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