Nexperia BV已经推出了一系列新的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）器件，这些器采用H2技术，并包含TO-247封装和Nexperia专有的CCPAK表面贴装封装。新器件具有出色的开关品质因数（FOM）和通态性能，并具有更高的稳定性，并且由于采用共源共栅配置，因而简化了应用程序设计，从而消除了对复杂驱动器和控件的需求。
新的GaN技术采用直通通孔，可减少缺陷并将芯片尺寸缩小约24％。TO-247封装的器件，导通电阻（RDS（on））降低到仅41mΩ，并具有高阈值电压和低二极管正向电压。对于CCPAK表面贴装型，该减小将进一步减低到39mΩ。这些部件被配置为共源共栅器件，使用标准的硅MOSFET驱动器也很容易驱动，两种版本均满足AEC-Q101对汽车应用的要求。
Nexperia 的CCPAK贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置，使其更通用，并有助于进一步改善散热。
GaN级市场营销总监Dilder Chowdhury说道：“客户需要导通电阻RDS(on)为30~40m的650V新器件，以便实现经济高效的高功率转换。Nexperia将持续投资氮化镓开发，并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片，并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。”
