美国Navitas半导体公司宣布推出采用6mm x 8mm PQFN封装的新型650V GaNFast电源IC，并具有专有的集成冷却垫，适用于高效率、高密度电源系统。
Navita专有的AllGaN工艺设计套件（PDK）将GaN功率场效应晶体管（FET）与GaN模拟和逻辑电路整体集成在一起，从而为移动、消费类、企业级应用、电动汽车和新能源市场提供了更高的充电速度、功率密度和节能性。
新型的NV612x系列GaNFast电源IC通过立即改善通过印刷电路板（PCB）的散热来提供散热解决方案。具有先进散热垫的6mm x 8mm系列产品的价格与现有5mm x 6mm GaNFast系列产品的价格相同，并且在某些情况下，新的低温技术可使设计人员替代较小的裸片版本，从而进一步降低系统成本。
新系列的650V额定功率IC（300mΩNV6123、175mΩ NV6125和125mΩNV6127）包括完整的栅极驱动和保护电路，以及采用6mm x 8mm表面贴装PQFN，低电感（高速）封装的GaN功率FET。
Navitas表示，GaNFast电源IC可以实现下一代升级，从适用于智能手机和笔记本电脑的25-100W消费类和移动USB-C快速充电器和适配器到200-800W电视和多合一计算机，甚至高达多千瓦电动汽车（EV）、工业和数据中心电源。
GaNFast电源IC极大地缩小了快速充电器和适配器中无源组件的尺寸和成本，NV612x系列可将温度降低10-15°C，并具有扩大的至PCB的热接口以及与系统地面的直接热和电连接，从而实现了世界上最高的功率密度，并通过了所有热规范和机构认证。
