《日本Rapidus公司计划2025年试产2nm芯片》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: 李衍
  • 发布时间:2023-01-30
  • 据日经新闻1月26日报道,日本政府支持的半导体公司Rapidus总裁小池淳義在接受采访时表示,准备在2025年试产2nm芯片,以便于本世纪20年代后半段开始批量生产,追赶计划2025年量产“2纳米产品”的台积电(TSMC)等世界级半导体厂商。Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业,旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。

    Rapidus提出了一个详细的路线图,其中要获得2nm工艺技术需要2万亿日元(约合人民币1042.7亿元),另外需要3万亿日元(约合人民币1564.06亿元)建立大规模生产线。Rapidus已在2022年底与IBM签署了技术授权协议,后者早在2021年就试产了2nm芯片。

    此外,日本政府计划在十年内向半导体领域投资5万亿日元(约合人民币2606.7亿元),同时提供700亿日元(约合人民币元36.5亿元)的补贴。


  • 原文来源:https://baijiahao.baidu.com/s?id=1756420900792786888&wfr=spider&for=pc
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    • 据共同社报道,日本政府 2 月 7 日通过内阁会议决定修订《信息处理促进法》和《特别会计法》,以支持 Rapidus 等半导体企业,加快下一代半导体的量产。符合支持条件的企业需在当前尚未形成稳定供应,且从事高性能半导体的研发与生产。 日本政府计划在今年下半年向 Rapidus 出资 1000 亿日元(约 48.11 亿元人民币),并完善相关金融支持机制。部分资金来源将通过发行新型国债“先进半导体及人工智能技术债”来筹措。本月初,Rapidus 社长小池淳义表示,Rapidus 的首座晶圆厂 IIM-1 建设进展顺利,已安装了两百余台设备。小池淳义再次确认 Rapidus 的 2nm GAA 制程试产将于 2025 年 4 月 1 日启动。
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    • 编译者:冯瑞华
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    • 6月15日,据悉,日本将与美国合作,最早于2025年在日本本土建成2nm芯片制造基地,以便加入下一代芯片技术的商用化竞争。该报道提到,日美两国政府将根据双边芯片技术合作伙伴关系提供支持,两国民间企业将在设计和量产方面进行研究。   报道截图 目前,台积电在芯片先进制程上处于全球领先地位,计划2025年量产2nm工艺,但该公司通常不会把最先进的工厂建在台岛以外。过去两年,台积电相继宣布在美国和日本建设芯片工厂,其中美国工厂计划在2024年量产5nm,日本工厂计划在2024年量产10nm至20nm芯片。 据悉,日本希望通过在本土生产新一代半导体,确保稳定供应。为实现这一目标,日本和美国企业有望联合成立新公司,或者日本企业可以建立一个新制造中心。日本经济产业省将补贴部分研发费用和资本支出。该报道提到,日美最早将于今年夏天开始共同研究,并在2025 -2027年之间建立研究和量产中心。     “日本拥有信越化学和Sumco等实力强劲的芯片材料制造商,而美国拥有芯片制造设备巨头应用材料,芯片制造商和主要供应商之间的合作旨在实现2nm芯片的量产技术。”该报道称。 日媒的预期很美好,但客观来说,现在谈论2nm制程可能有些为时过早,毕竟台积电和三星的3nm还未实现量产。