硅异质结技术（四HJT）是晶体硅光伏的热点话题，因为它可以使太阳能电池的能量转换效率达到20%以上，其工业生产水平也是同样。这种太阳能电池组成包括单晶硅片上覆盖非晶硅薄层。这种结构的关键是利用宽带隙薄膜插入接触晶体表面的高重组活性位移（欧姆）。为了达到充分的设备潜力，异质界面态密度应该最小。实际上，仅有几纳米的氢化非晶硅薄膜（a-Si∶H）是其有吸引力的候选：其带隙比单晶硅大，而且在本质上这种薄膜可通过氢化减少单晶硅表面态密度。此外，无论是n型或p型，这些薄膜的掺杂相对容易，从而以饱和电流密度记录低值制作（光刻自由）触点。已由日本三洋报道此类超大面积（大于100平方厘米）设备的能量转换效率（约23%）。
