《无锡光量子芯片中试平台成功下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆》

• 来源专题：集成电路与量子信息
• 发布时间：2025-06-09
• 原文来源：https://www.semi.org.cn/site/semi/article/c2afaefa9489472badc22a7c3b68af1c.html

无锡光量子芯片中试平台近期成功下线了首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，并实现超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产。

上海交大无锡光子芯片研究院于2022年底启动建设，成为国内首条光子芯片中试线。该平台的投产标志着研究院贯通了“技术研发—工艺验证—规模量产”的全链条能力，显著提升了我国在量子科技领域的国际竞争力。 中试平台负责人表示，该平台年产能达到1.2万片薄膜铌酸锂晶圆，未来将与更多产业链企业合作，推动科技成果的产业化应用。

为了克服制备工艺难题，研究院引进了110台国际顶级CMOS工艺设备，实现了高精度波导刻蚀和优异的性能指标，包括调制带宽突破110GHz、插入损耗低至3.5dB以下。 

近期，中试平台将发布工艺设计包，公开核心工艺参数与器件模型，旨在缩短研发周期，加速创新成果的产业化。这一举措将为产业链企业提供从概念设计到流片验证再到量产的全流程支持。