《ASML刷新芯片制造密度记录并提出超数值孔径工具》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: AI智能小编
  • 发布时间:2024-05-29
  • ASML在IMEC的ITF World 2024大会上公布其首台高数值孔径机器创下新的芯片制造密度记录,提议开发超数值孔径芯片制造工具。新工具将提高速度到每小时400到500个晶圆,降低EUV芯片制造成本,满足未来芯片制造需求。英特尔也投入使用High NA系统。台积电可能改变心意,考虑购买ASML的High-NA EUV机台。
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  • 《诺基亚使用其密制硅配方制造出新的ReefShark芯片组》

    • 来源专题:宽带移动通信
    • 编译者:wangxiaoli
    • 发布时间:2018-03-20
    • 在主要网络供应商中,诺基亚特别热衷于讨论提高其芯片设计的可信赖程度,最新的设计旨在帮助基站获取5G计划。 出于某种原因,该芯片组家族被命名为ReefShark。我们猜想,应该是诺基亚的营销部门认为是时候让他们产品得到更性感、更强硬的名字。这似乎对高通公司的“Snapdragon”很管用,尽管它是以一朵花的名字命名(金鱼草),但在市场营销中,它却对邪恶的巨蜥形象大做文章。 ReefShark实际上是由三个不同的芯片组组成,所以从技术上来说,它是一所ReefSharks的学校(或者说是鲨鱼的统称——很明显鲨鱼的颤抖是一件事,谁知道呢?)根据维基百科所说,总共有四种主要的珊瑚礁鲨鱼品种,所以那里也有命名的机会。 它们中,一个是着重于支持大规模MIMO的LTE和5G无线电系统的数字前端,一个是RFIC(射频集成电器)前端模块和收发器设计为一个大规模的MIMO自适应天线解决方案。最后一个是采用了计算重设计的基带处理器,旨在支持5G的大规模需求。 为什么我们需要特殊的超级硅片来制造这些东西?当然是为了5G。数字前端是天线与收发器之间的接口,一旦5G投入使用,将需要做更多的处理,以优化信号。RFIC芯片集成了许多以前离散的组件,就像智能手机中的SoC,从而提高了效率。最终,这三个芯片组的整体设计是为了提高基站的性能和效率,以支持大规模增加的5G规模。 诺基亚首席技术官Henri Tervonen不出所料,对新的芯片组家族感到非常满意:“凭借ReefShark,诺基亚建立了明显的竞争优势。ReefShark集力量、只能和功效于一身,堪称快速达成5G网络的核心之选”。 在此次鲨鱼备忘录发布之前,诺基亚上一次大型的硅片发布就已然发生,这就产生了听起来平淡无奇得多的FP4芯片组。不过,诺基亚在将自己与竞争对手区别开来这方面做得很好,我们可以想象,拥有您自己的定制芯片组对于销售团队来说是一个非常方便的USP,可以随意使用。 在另一项声明中,诺基亚大谈其5G的未来X体系架构,其中包括所有以前描述过的ReefShark的聪明之处。看起来Future X是诺基亚更广泛的5G网络品牌,也涵盖了全部的5G产品和服务。事实上,在这里,它们是: ? 诺基亚5G新无线电 ? 诺基亚AirScale无线接入 ? 诺基亚的5G AirScale有源天线 ? 诺基亚的5G小型蜂窝 ? 诺基亚5G Anyhaul ? 诺基亚5G核心 ? 诺基亚大规模接入 ? 5G加速服务 诺基亚移动网络总裁Marc Rouanne表示:“有了我们的5G Future X组合,我们将向客户开放网络数据和网络智能,以共同规划和定制机器学习及其自动化,并在我们的新硅片上运行”。 “我们诺基亚贝尔实验室发明研究的Future X架构,使得IP、光学、射频、软件和创新的内部硅之间的知识能够混合到诺基亚。我们现在期望能够提供前所未有的功能和效率,使我们的客户能够转变他们的服务提供5G”。 正如您可以从这个项目列表中看到的,制作“端到端5G解决方案”需要很多部分的参与,而诺基亚似乎正在努力使消息传递过程合理化,这可不是什么好玩的事情。我们会给您一段关于新芯片组的视频,以及关于黑尖礁鲨的纪录片,他们正做着顶级捕食者的业务。
  • 《Nitride Semiconductors推出用于半导体制造曝光系统的365nm UV-LED芯片》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-05-31
    • 日本的Nitride Semiconductors声称已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统紫外光源的UV-LED。Nitride Semiconductors于2000年从德岛大学分离出来,宣布称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管。 目前,半导体制造中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯,但是存在一些功能限制,例如待机时间长、寿命短、UV照度稳定性差以及开关控制不便。另外,由于环境污染问题,预计《水俣公约》的实施将推动LED光源加快替代含汞光源。 Nitride Semiconductors表示,波长为365nm的新型NS365L-9RXT UV LED芯片功能进一步改善,已经实现效率高、节能且寿命长,在正向电流If为3A,正向电压Vf为4.6V的条件下,紫外输出功率为3.2W。 新型UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。半导体制程为实现精准曝光,需要使用平行光。然而,UV-LED光源通常具有宽的方向角(约120°),用于曝光所获的光量趋于不足。因此,通过结合深度反射镜与高透光率透镜,该公司实现了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源,无需购买新的UV LED曝光系统 新型UV LED结构非常紧凑,尺寸为长9mm x宽9mm x高8.5mm,因此安装密度更高。 新型NS365L-9RXT UV-LED的批量生产每10000件的单价约为50美元。