《SecureFoundry推出HBA光刻系统,实现高效芯片制造》

  • 编译者: AI智能小编
  • 发布时间:2025-10-12
  • SecureFoundry公司今天推出了其基于欧洲原创架构的Hyper-Beam Array (HBA)光刻系统,这是一种新一代光刻技术。与单束和多束方法不同,HBA系统使用数万个独立控制的电子束,在15分钟内即可完全图案化一个100mm的晶圆,效率远超现有的电子束技术。HBA工具支持晶圆级集成、先进的扇出封装,以及在一次运行中实现多种设计变化,为AI芯片设计师提供了快速实验和反馈的机会。与传统的光刻技术不同,HBA光刻无需昂贵的掩模且具有较短的周期时间,采用65,000个平行电子束直接对晶圆进行图案化,每个束流独立控制。系统通过两次扫描晶圆,自动补偿任何漏掉的图案,确保系统的可靠性和一致性,并提供细粒度的控制和高保真度的图案放置。HBA光刻系统特别适用于混合量生产和安全关键应用场景,具备灵活性、可追溯性和重复性。该系统也填补了半导体供应链中设计、研究和开发之间的空白,支持研究机构、国防承包商和商业合作伙伴寻求敏捷的本地解决方案。
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  • 《Nitride Semiconductors推出用于半导体制造曝光系统的365nm UV-LED芯片》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-05-31
    • 日本的Nitride Semiconductors声称已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统紫外光源的UV-LED。Nitride Semiconductors于2000年从德岛大学分离出来,宣布称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管。 目前,半导体制造中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯,但是存在一些功能限制,例如待机时间长、寿命短、UV照度稳定性差以及开关控制不便。另外,由于环境污染问题,预计《水俣公约》的实施将推动LED光源加快替代含汞光源。 Nitride Semiconductors表示,波长为365nm的新型NS365L-9RXT UV LED芯片功能进一步改善,已经实现效率高、节能且寿命长,在正向电流If为3A,正向电压Vf为4.6V的条件下,紫外输出功率为3.2W。 新型UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。半导体制程为实现精准曝光,需要使用平行光。然而,UV-LED光源通常具有宽的方向角(约120°),用于曝光所获的光量趋于不足。因此,通过结合深度反射镜与高透光率透镜,该公司实现了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源,无需购买新的UV LED曝光系统 新型UV LED结构非常紧凑,尺寸为长9mm x宽9mm x高8.5mm,因此安装密度更高。 新型NS365L-9RXT UV-LED的批量生产每10000件的单价约为50美元。
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