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《芝加哥和康奈尔大学将共同开发把2D材料逐层组装到晶圆级异质结构中》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2017-10-17

  • 芝加哥大学和康奈尔大学的研究人员已经报道了一种创新的方法，用于制造只有几个原子厚的半导体层的叠层。据说该技术提供了一种简单，经济有效的方法来制造这些材料的薄均匀层，从而可以扩展从太阳能电池到手机的设备的能力。

    研究人员说，堆叠薄层材料为制造具有独特性能的电子设备提供了一系列可能性，但制造这种薄膜是一个微妙的过程，几乎没有错误的余地。

    领导了这项研究的美国芝加哥化学学院，分子工程研究所和詹姆斯·弗兰克研究所的教授Jiwoong Park说：“想象一下，用一片塑料包装芝加哥的大小，没有任何气泡，当材料本身只是原子厚，每一个小杂散原子都是一个问题。”

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  • 《CEA -Leti和英特尔宣布联合开发 300 毫米晶圆上2D TMD的层转移技术》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：李衍
    • 发布时间：2023-06-21
    • 6月19日，CEA -Leti官网宣布和英特尔启动一项联合研究项目，旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术，目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后。 二维层状半导体，例如基于钼和钨的 TMD，有望扩展摩尔定律并确保 MOSFET 晶体管的最终缩放，因为 2D-FET 提供了固有的亚 1nm 晶体管沟道厚度。由于其良好的载流子传输和移动性，即使对于原子级薄层，它们也适用于高性能和低功耗平台。此外，它们的器件主体厚度和适度的能带隙导致增强的静电控制，从而导致低断态电流。 这些特性将 2D-FET 堆叠纳米片器件定位为 2030 年后晶体管缩放的有前途的解决方案，这将需要高质量的 2D 通道生长、适应性转移和稳健的工艺模块。为此，这个多年期项目将开发一种可行的层转移技术，将高质量二维材料（生长在 300 毫米首选基板上）转移到另一个用于晶体管工艺集成的器件基板。英特尔为该项目带来了数十年的研发和制造专业知识，CEA-Leti 还提供了键合和传输层专业知识以及大规模表征。 英特尔技术开发高级研究员兼英特尔欧洲研究总监 Robert Chau 表示：“随着我们不懈地推动摩尔定律，2D TMD 材料是一种很有前途的选择，可以在未来扩展晶体管的缩放极限。” “该研究计划的重点是开发一种可行的基于 2D TMD 的 300mm 技术，用于未来的摩尔定律晶体管缩放。” 英特尔将其在半导体和封装研究与技术方面的实力和专业知识与欧洲合作伙伴合作，以开发摩尔定律创新并推动欧洲的微电子技术发展。2022 年，Chau 从美国调往欧洲，领导英特尔欧洲研究院，并与欧洲大陆的合作伙伴一起推动英特尔的研发。英特尔和 CEA-Leti 在半导体设计、工艺和封装技术方面有着长期的密切合作。 最近，他们宣布在 2022 年 6 月使用自组装工艺实现未来芯片集成的新型芯片到晶圆键合技术的研究取得突破。Chau 于 6 月 16 日访问了 CEA-Leti 的格勒诺布尔总部，以强调其重要性他们的合作和项目的启动，一直是两个实体之间多年研究合作的有力支持者。 CEA-Leti 首席执行官 Sebastien Dauvé 表示，行业路线图表明，二维材料将集成到未来的微电子设备中，而 300 毫米晶圆的转移能力将是这种集成的关键。 “由于其超过 700°C 的高生长温度和在首选基板上的高质量生长，很难堆叠 2D 材料，很难像通常的薄层一样沉积在堆叠上。因此，转移最有希望将它们集成到未来的设备中，而 CEA-Leti 在这方面的优势在于其在转移开发和表征方面的专业知识和技术诀窍，”Dauvé 说。 参考文献：https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/actualites/Communique%20de%20presse/Moore%E2%80%99s-Law-CEA-Leti-Intel-to-Develop-Atomically-Thin-2D-TMDs-on-300mm-Wafers.aspx https://mp.weixin.qq.com/s/fPNOHaifyzrPKIKs5mHsUQ
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  • 《SMI与康奈尔大学和纽约州立大学分校共同开发III-N光电阴极》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2020-09-13
    • 美国结构材料工业公司（SMI）与康奈尔大学（CU）和纽约州立大学（SUNY）理工学院阿尔巴尼分校合作开发为期9个月的项目，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长III-N结构，并制造高亮度光电阴极（PCaths）。 高亮度PCaths是使用电子加速器的DOE设施和实验室所必需的，并且可用于自由电子激光器（FEL），超快电子显微镜和衍射等应用。 聚焦的主要材料是具有高化学电负性表面的III-N层，可以产生最高亮度的低平均横向能量（MTE）电子，以及对于电子促进剂和电子衍射显微镜应用而言足够高的量子效率。 III-N材料系统以其在LED和大功率，高频设备中的应用而闻名，被证明在经过适当设计和适当表面处理的结构中可以表现出负电子亲和力（NEA）。经过适当调整，这些特性在用波长小于带隙的光照射时会导致电子高亮度发射。这些材料比传统的碱金属锑化物、碱金属碲化物、砷化镓（GaAs）或金属PCath表现出更好的性能，后者由于化学中毒或碱金属的损失，即使在数小时至数月内仍具有高反应性并迅速降解，甚至在隔离的超高真空（UHV）外壳中。该项目中将开发的基于III-N的光电阴极将代表光电阴极稳定性的新进步。研究主要是形成负电子亲和力表面以产生负氢离子束，并且能在该领域做出贡献。 过去，SMI从事过多个由III-N资助的研究计划，并已建立了用于III-氮化物研发的工具，包括散装材料生长工具。
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