中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员，与国家纳米科学中心刘前研究员合作，开发出新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。
据了解，半导体光刻最重要的指标是光刻分辨率，它跟波长及数值孔径 NA 有关，波长越短、NA 越大，光刻精度就越高，EUV 光刻机就是从之前 193nm 波长变成了 13.5nm 波长的 EUV 极紫外光，而 NA 指标要看物镜系统，ASML 在这方面靠的是德国蔡司的 NA=0.33 的物镜，下一代才回到 NA=0.55 的水平。
亚 10nm 结构的应用领域和方向
中国科学院苏州所联合国家纳米中心开展的这项研究有所不同，在无机钛膜光刻胶上， 采用双激光束（波长为 405 nm）交叠技术，通过精确控制能量密度及步长，实现了 1/55 衍射极限的突破（NA=0.9），达到了最小 5 nm 的特征线宽。
从中可以看出， 国内研究的光刻技术使用的是 405nm 波长的激光就实现了 NA=0.9 的衍射突破 ，可以制备 5nm 线宽工艺，这是一项重大突破。
双束交叠加工技术示意图（左）和 5 nm 狭缝电极电镜图（右）
（a）纳米 SERS 传感器的光学显微镜图；（b）一维线性扫描下拉曼信号谱；（c）不同宽度下拉曼信号谱；（d）不同外加电压下拉曼信号谱
实验室中取得的技术突破，并没有达到量产的程度，而且原文并没有特意强调是用来生产半导体芯片的，甚至一个字都没提到是光刻机，它更多地是用于快速制备纳米狭缝电极阵列结构。
该研究成果已在在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备 5nm 间隙电极和阵列》（5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究论文。
目前，全球前道光刻机被 ASML、尼康、佳能完全垄断，CR3（业务规模前三名的公司所占的市场份额）高达 99%。在当前局势下，实现光刻机的国产替代势在必行，具有重大战略意义。
可以想象的是，未来中国科学院在光刻机方面，必定会有更多成果。尽管光刻机已经成为一个高度垄断的行业，但后起之秀的力量也不可小觑。
