本文采用数值模拟的方法,研究了p型和n型多晶硅钝化接触在工业级p型硅太阳能电池上的应用。研究了结构设计、p型晶圆片的体寿命和电阻率以及多晶硅钝化接触载体选择性对电池性能的影响。此外,利用自由能量损失分析(FELA)对相应的能量损失路径进行了分类。从本质上讲,n型多晶硅钝化接触面的后接太阳能电池由于表面钝化效果好,正面金属化阴影少,产生了更多的内部功率,但由于p型Czochralski (Cz)晶圆寿命短,效率潜力受到限制。因此,p型多晶硅钝化作为背面接触领域会更有利,如果p型Cz硅的生命周期小于350?μs。长期来看,p型晶圆片的寿命可能成为高效多晶硅钝化接触式太阳能电池的瓶颈。最后,我们提出了23%工业p型硅太阳能电池的路线图,该电池采用p型或n型多晶硅钝化接触面。
——文章发布于2019年1月15日