Weebit Nano 有限公司（以色列 Hod Hasharon）从代工厂 Globalfoundries 收到了首批晶圆，其中包含采用 22FDX 制造工艺生产的电阻 RAM (ReRAM) 非易失性存储器。(以色列 Hod Hasharon）从代工厂 Globalfoundries 收到了首批晶圆，其中包含采用 22FDX 制造工艺生产的电阻式 RAM (ReRAM) 非易失性存储器。该公司还通过了 Skywater 130 纳米工艺 125 摄氏度运行的认证。
Weebit 宣布已于 2023 年 1 月在 22nm 全耗尽型硅绝缘体 (FDSOI) 工艺上带出了 8Mbit ReRAM（参见 Weebit 在 22nm FDSOI 工艺上带出 ReRAM），但未确认该设计采用的是 Globalfoundries 的 22FDX 工艺。这些晶圆是首批采用 22 纳米工艺制造的 Weebit ReRAM 晶圆。
"该公司表示："对这种先进的 22 纳米 FDSOI（绝缘体上的全耗尽硅）晶圆的初步测试显示，阵列取得了积极的成果。
电阻式 RAM 是一种非易失性存储器，与闪存相比具有扩展和功耗方面的优势，而 22nm 工艺虽然提供 MRAM，但闪存不能作为嵌入式存储器选择（参见 Globalfoundries 在 22nm FDSOI 上提供嵌入式 MRAM）。
"采用 22nm 工艺（如 22FDX）的 Weebit ReRAM 提供了一种低功耗、高性价比的嵌入式 NVM 解决方案，能够承受恶劣的环境条件。Weebit Nano 首席执行官 Coby Hanoch 在一份声明中表示："通过这一最新进展，我们距离提供 Weebit ReRAM 这一 22nm 商业解决方案又近了一步，客户的创新 SoC 目标应用领域包括物联网、5G、边缘 AI 和汽车。
同时，Weebit 和代工厂 SkyWater Technology Inc. 宣布，Weebit 的 ReRAM IP 模块已在 SkyWater 的 S130 130nm 工艺中通过了高达 125 摄氏度的温度测试--这是 Grade-1 汽车应用的指定温度。
所有芯片都成功通过了整套鉴定测试，验证了 ReRAM 作为嵌入式 IP 适合批量生产。Weebit ReRAM IP通过了以下测试
10,000 次闪存等效耐久循环
在工业级温度下可保存 10 年数据
3 次 SMT 焊接回流焊循环
