《3D芯片的挑战》

  • 来源专题:宁夏重点产业科技信息服务
  • 编译者: 刘 悦
  • 发布时间:2025-06-30
  • 3D IC技术通过垂直堆叠硅片或晶圆,实现多层有源电子元件的紧密集成,形成单个器件。相比传统二维集成电路,3D IC显著缩短了元件间的物理距离,提高性能、降低功耗并缩小尺寸。其基本架构涉及硅通孔(TSV)等关键技术。 随着对复杂电子系统需求的增加,传统的2D集成方法逐渐显现出局限性,催生了2.5D及3D集成的发展。全球3D IC市场在人工智能、高性能计算、数据中心等领域的驱动下,正经历快速增长。实施3D IC技术需要全面的设计和验证方法,包括热管理、信号完整性和功率传输的精确仿真与优化。 3D IC技术带来了显著的性能提升和电源效率改进。垂直堆叠芯片减少了互连长度,降低了信号延迟,提高了系统运行频率。同时,较短的互连长度也减少了寄生电容和电阻,降低了功耗,这对电池供电设备和数据中心尤为重要。 在行业应用方面,3D IC技术在人工智能、高性能计算和超大规模基础设施中解决了关键的计算挑战。内存芯片直接堆叠在处理单元上方,大幅缩短内存访问时间,提高系统整体吞吐量。尽管初期投资较高,但3D IC技术的长期经济效益显著,制造流程采用混合节点和技术策略,有助于企业优化成本并保持高性能标准。
  • 原文来源:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzg2NDgzNTQ4MA==&mid=2247787017&idx=6&sn=cb1a804b17bd32045dfffc7398a93d2c&scene=0#wechat_redirect
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    • 澳大利亚悉尼新南威尔士大学量子计算和通信技术卓越中心研究人员首次在3D器件中制备出原子级精度量子比特,这是通向通用量子计算机的又一重大步骤。 由CQC2T米歇尔·西蒙斯教授领导的研究团队已经证明,他们可以将原子量子比特制造技术扩展到硅晶体的多层,从而实现了2015年向世界推出的3D芯片体系结构的一个关键组成部分。这项新的研究今天发表在《自然纳米技术》上。 在3D设计中,该芯片架构采用原子级量子比特对准控制线,控制线本质上是非常窄的线。研究团队首次证明了这种架构的可行性。 更重要的是,研究团队在3D器件中能以纳米精度对准不同的层,并表明他们能以高保真度读出量子态单点,例如,即在一个单一测量中。 米歇尔·西蒙斯说:“对硅中原子级量子比特而言,这种3D器件架构是一重大进步。为了能够不断地纠正量子计算中的错误-这是量子计算领域的一个重要里程碑-你必须能够并行控制许多量子比特。唯一能做到这一点的方法就是使用三维架构,所以在2015年,我们开发了一种垂直纵横交错的体系结构,并获得了专利。然而,在这种多层器件的制造过程中仍然存在着一系列的挑战。有了这个结果,我们现在已经证明,按照几年前的设想,我们在3D中的方法是可能的。” 在新的论文中,研究小组演示了如何在第一层量子比特之上构建第二控制平面或层。 JorisKeizer博士说:“这是一个非常复杂的过程,但简单地说,我们先建立了第一个平面,然后优化了一种技术,在不影响第一层结构的情况下生长第二层。” “过去,批评人士会说,这是不可能的,因为第二层的表面变得非常粗糙,你将无法再使用我们的精确技术-然而,在本文中,我们已经证明我们可以做到这一点,与预期相反。” 此外,研究团队还验证了他们随后能以纳米精度对准这些多层。 “如果你在第一层硅层上写了一些东西,然后将硅层置于顶部,你仍需识别你的位置来对齐两个层上的组件。我们展示了一种能在5纳米内实现对齐的技术,这是非常不寻常的。”最后,研究人员能够用所谓的单次测量来测量三维器件的量子比特输出,即用一次精确的测量,而不是依赖于平均数以百万计的实验。“这将进一步帮助我们更快地扩大规模。” 通向商业化 西蒙斯教授认为该研究是量子计算领域的一项重要的里程碑。 我们正在致力于研究一种大规模架构,这将引导我们最终实现这项技术的商业化,是量子计算领域中一项重要进步。