《研发前沿2纳米全环绕栅极晶体管原型》

  • 来源专题:新一代信息技术
  • 编译者: 张嘉璐
  • 发布时间:2025-07-30
  • 该研发工作正在Rapidus创新集成制造中心(IIM-1)推进。公司宣布,原型晶圆已开始获取电性参数。这座新型晶圆厂标志着对传统代工模式的重大革新,被业界誉为半导体工厂"实时思维-学习-适应-优化"生产流程的典范重构。

    IIM-1工厂采用多项尖端技术与方法:

    ? 全单晶圆前端处理:

    通过单晶圆独立加工实现参数调整,经检测成功后推广至后续批次。该工艺能捕获更丰富数据,训练AI模型优化生产良率。作为全球首批实现全单晶圆工艺商业化的企业,Rapidus将其作为"快速统一制造服务(RUMs)"的核心技术。

    ? 极紫外(EUV)光刻:

    EUV是制造2nm芯片的关键技术,对形成2nm全环绕栅极(GAA)结构至关重要。Rapidus是日本首家引进先进EUV设备的企业——2024年12月设备到货后仅3个月,即于2025年4月成功完成EUV曝光验证。

    在不到三年时间内,Rapidus已达成IIM-1所有里程碑:2023年9月启动厂房建设2024年完成洁净室工程2025年6月完成200余台全球顶尖半导体设备联调公司正在开发兼容IIM-1的2nm工艺设计套件(PDK),计划2026年Q1向核心客户发布,同步搭建客户原型开发环境,预计2027年实现量产。

  • 原文来源:https://www.newelectronics.co.uk/content/news/rapidus-achieves-significant-milestone-with-prototyping-leading-edge-2nm-gaa-transistors
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