台湾国立成功大学的Yu-Lin Lee和Wen-Chau Liu一直致力于通过使用台面顶面和侧壁的纹理来增强氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED）中光的提取，于2018年7月4日在IEEE Transactions on Electron Devices上发表。
特别是，研究人员在顶面上创建了一个微孔阵列，并在侧壁上形成45°锯齿或凸面图案。这些措施的目的是增加光子从结构中逃逸到外部世界的可能性。基于InGaN的器件易于让光在GaN 和空气的界面处反射回器件中。由于GaN和空气之间的折射率差异很大，发生全内反射，从而为光子提供了相对窄的逃逸锥。纹理设计旨在减少全内反射，提高光提取效率。
一种这样的结构与没有微孔阵列或侧壁纹理的参考器件相比，光输出功率，光通量，外量子效率和壁插效率分别增加了20.9％，24.3％，20.5％和21.3％。
