美国Soraa 公司表示，在氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED）的研究中发现，外部量子效率（EQE）的热下降主要是由传输效应引起的，例如载流子过冲。
热降是指结点通过高温运行或由于连续运行的设备中不良的散热（焦耳加热）导致的加热时效率的损失。这与电流下降相反，后者是指高电流注入时的效率损失。
先前报道的温度依赖性效应可归因于两个因素，一个是在异质外延样品中，其他与位错相关的效应可能导致不同的热活化。另一个是以前的研究从EL（电致发光）测量中得出了寿命，在这种情况下，重组效应和传输效应没有被解开。研究小组的测量直接探测了低缺陷材料中的有效区域重组，因此可以更直接地了解热降的本质。
因此，LED的EL性能下降是由于器件有源QW区域的复合问题引起的。 SQW LED由30nm p-i-n结构和AlGaN电子阻挡层组成。组装LED时，将芯片倒装到银色p触点上。银接触的一个目的是高光提取效率，大概是通过反射回到设备顶部来实现的。热下降归因于传输效应。研究人员进行了一项时间分辨的研究，该研究可以测量QW中的载流子逃逸时间，指数温度依赖性与热电子发射一致。
MQW结构可减少从有源区到p接触区的逸出。 产生捕获时候，可能还会产生补偿效应。这种补偿可以部分解释HC的性能。SQW LED在100°C下的峰值EQE相对下降了15％，而MQW结构下降了5％。下降不受载波扩展影响，因为它是考虑的峰值EQE，而与电流无关。
