在石墨烯表面直接书写半导电或绝缘性纳米atterns是石墨烯在柔性透明电子器件上应用的主要挑战之一。在此,我们证明了当电子加速电压超过临界电压3kv时,利用电子束诱导的C-H离解可以研究氢化石墨烯的纳米溶解模式。模式的分辨率达到18nm,并保持不变,因为加速电压超过15kv。通过研究C-H键在电子碰撞下的横截面,很好地解释了这种技术中纳米溶解模式的起源以及分辨率对电压的依赖关系。这项工作构成了一种制造石墨烯基电子纳米器件的新方法,利用还原氢化石墨烯通道作为结构中的导电或半导电对等物。
——文章发布于2018年8月9日