欧洲微波周（EuMW 2018）的411号展位上，专业代工厂TowerJazz 和TowerJazz Texas公司以及TowerJazz Japan Ltd公司展示了他们RF硅工艺能力，包括硅锗（SiGe）和RF绝缘体上硅（SOI）技术，解决了新兴的5G和毫米波（mmWave）的市场问题，并且专注于高数据速率的移动和汽车应用。
具体而言，TowerJazz展示了高容量SiGe BiCMOS技术，用于5G移动发送接收芯片，数据速率高于12Gbps，与4G LTE相比，数据速率提高了十倍以上。
该公司还强调其5G RF SOI技术，其中包括最新的65纳米工艺采用的是300毫米晶圆，并且包括同类最佳的低噪声放大器（LNA）和开关性能，这些可解决前端模块的集成问题。该过程也可以减少RF开关的损耗，延长电池寿命并提高手机和物联网（IoT）终端的数据速率。
