《清华大学曹化强《自然·通讯》:在黑磷烯纳米带研究方面取得重要进展》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-08-18
  • 8月6日,清华大学化学系曹化强教授课题组及其合作者在《自然·通讯》(Nature Communications)在线发表了题为“将块体黑磷以‘拉开拉链’方式制备成锯齿取向黑磷烯纳米带”(Unzipping of black phosphorus to form zigzag-phosphorene nanobelts)的研究论文。研究团队利用电化学手段控制氧分子浓度,制备出沿锯齿型(zigzag)取向的纳米带;同时,通过调节电流密度可实现黑磷烯纳米片、纳米带和量子点的可控制备;通过理论计算揭示了氧分子对黑磷烯实现定向切割的机理;利用所制备的黑磷烯纳米带构建场效应晶体管器件并对其载流子输运特性进行了深入研究。

    黑磷烯二维纳米结构,包括单原子层黑磷烯和少层黑磷烯(<10层)。与石墨烯不同,黑磷烯本身具有带隙以及独特的各向异性。理论计算预测,黑磷烯在zigzag方向具有比摇椅型(armchair)方向具有更加优异的热学、力学以及半导体性质,因此zigzag取向黑磷烯纳米带在热电、柔性电子和量子信息技术等领域的应用引起了研究者的广泛兴趣。然而,受限于黑磷烯的稳定性以及现有的合成技术,黑磷烯纳米带有效制备成为其研究及应用的关键瓶颈。

    受启发于黑磷在空气环境中可被氧化分解,团队设计了一种通过电化学方法,通过改变电流密度有效调节离子插层速率和黑磷烯周边的氧分子浓度,从而可控制备黑磷烯纳米结构的维度和尺寸,获得一系列黑磷烯纳米结构,包括纳米片、纳米带和量子点(图1)。结构表征证明了所制备的黑磷烯纳米带具有很好的结晶性和柔韧性。

    图1 锯齿取向黑磷烯纳米带(z-PNB)的结构表征

    图2 电化学解离黑磷晶体形成锯齿取向黑磷烯纳米带(z-PNB)的机理

    该电化学解离机制认为制备过程分为两步,即离子插层和氧驱动解离过程(图2)。在电化学过程中,BF4-离子沿黑磷a轴方向(即[100]方向,沿zigzag方向)插入黑磷晶体层间,同时,氧分子被化学吸附、解离在黑磷表面上形成悬键氧,通过悬键氧与水分子形成氢键及P-O-P水解,导致P-P键断开,沿着zigzag方向以“拉开拉链”的方式持续进行,被解离成纳米带。理论计算分析、比较了各种氧分子在黑磷烯上的吸附和解离路径(图3)。结果表明,形成间隙氧对是解离黑磷晶体P-P键并最终形成zigzag取向黑磷烯纳米带的关键步骤。

    图3 氧驱动解离块体黑磷反应机理的理论计算

    研究团队采用铜网掩膜法设计制备了基于黑磷烯纳米带的场效应晶体管器件并探究了其载流子输运特性,可实现器件p-n型之间的转化,为黑磷烯纳米带在主动式矩阵显示技术、射频器件及互补型金属氧化物半导体器件技术中的应用提供了关键材料和开辟新的研究方向。

    图4 黑磷烯纳米带(z-PNB)的电子性能

    清华大学化学系教授曹化强、清华大学微纳电子系副研究员谢丹和英国剑桥大学材料科学与冶金系教授Anthony K. Cheetham为本文共同通讯作者,化学系博士生刘志方、微纳电子系博士生孙翊淋为共同第一作者。南开大学材料科学与工程学院、稀土与无机功能材料研究中心李伟教授,中国科学院高能物理研究所王嘉鸥副研究员参与了该项研究。本工作获得了国家重点研发计划和国家自然科学基金的支持。

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    • 编译者:guokm
    • 发布时间:2022-01-10
    • 硅基晶体管的集成正在接近工艺物理的极限,而具有超高载流子迁移率的石墨烯有望成为下一代主流芯片材料。石墨烯纳米带中存在由量子效应引入的带隙,使之具有独特的电学性能,可以克服石墨烯本身半金属特质带来的不便,更适用于集成电路的制造。 在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下,中国科学院化学研究所有机固体实验室研究员于贵课题组在石墨烯二维材料的制备策略、性能及其应用方面开展了系列研究。前期工作中,科研人员对具有扭转角的双层石墨烯的制备策略及其独特性能进行了系统总结 (Adv. Mater. 2021, 33, 2004974.);进一步综述了扭角多层石墨烯及其异质结的制备方法,并回顾了多种类型的异质结自上而下的制备策略(Adv. Sci. 2021, DOI:10.1002/advs.202103170. ACS Nano 2021, 15, 11040.);此外,科研人员总结了不同类型的衬底用以制备高质量石墨烯及其在电子学方面的应用(Chem. Mater. 2021, 33, 8960.)。由于本征石墨烯的零带隙限制了其在光电器件中的应用,因此科研人员分析总结了石墨烯纳米带自下而上的生长策略,通过调控石墨烯纳米带的宽度、边缘结构等可以实现带隙调节(Adv. Mater. 2020, 32, 1905957.)。 快速、大面积、低成本制备高质量石墨烯纳米带的方法仍有待发展。最近,课题组和清华大学教授徐志平团队合作通过调控化学气相沉积过程中的生长参数,直接在液态金属表面原位生长出大面积、高质量的石墨烯纳米带阵列(如图)。研究表明,将氢气的流速控制在相对微量的状态,同时以液态金属作为催化基底,可以引入一种新型的梳状刻蚀行为,从而调控石墨烯的生长。实验发现,利用梳状刻蚀控制石墨烯的生长可以将传统的薄膜生长转化为准一维的线性生长,从而直接制备高质量、大面积的石墨烯纳米带阵列。通过优化生长条件,可以将石墨烯纳米带的宽度缩小至8纳米,并且长度大于3微米。该工作为大面积、快速制备石墨烯纳米带的研究奠定了基础。 相关研究成果发表在National Science Review上。