石墨烯无与伦比的强度、化学稳定性、最终的表面与体积比以及优异的电子性能使其成为微纳米机电系统(MEMS和NEMS)中膜材料的理想候选材料。然而，将石墨烯集成到MEMS或NEMS设备以及石墨烯薄膜上的悬浮物(如证明质量)等结构中，会带来一些技术挑战，包括石墨烯的坍塌和断裂。我们已经开发了一种强大的方法来实现由双层CVD石墨烯制成的薄膜，并在薄膜上以高产量悬浮大量的防硅材料。我们演示了边长的平方制造石墨烯膜从110年7µmµm,和暂停证明群众组成的固体硅立方体,从5µmµm×5×16.4µmµm 100×100µm×16.4µm大小。我们的方法与晶片级MEMS和半导体制造技术兼容，具有悬浮证明质量的石墨烯薄膜的制造产率为>90%，其中>70%的石墨烯薄膜具有>90%的石墨烯区域，且无明显缺陷。所测到的已实现结构的共振频率范围为数十至数百kHz，质量因子范围为63至148。石墨烯薄膜的耐悬浮质量非常坚固，能够承受原子力显微镜(AFM)尖端约7000 nN的压痕力。为可靠和大规模生产具有悬浮证明质量的石墨烯薄膜而提出的方法，将使具有新功能和改进性能的创新NEMS器件的开发和研究成为可能。
