石墨烯无与伦比的强度、化学稳定性、最终的表面体积比和优异的电子性能使其成为微纳米机电系统(MEMS和NEMS)中膜材料的理想候选材料。然而，将石墨烯集成到MEMS或NEMS设备以及石墨烯薄膜上的悬浮物(如证明质量)等结构中，会带来一些技术挑战，包括石墨烯的坍塌和断裂。我们开发了一种可靠的方法来实现由双层CVD石墨烯制成的薄膜，并在薄膜上悬浮大量的防硅材料，从而获得高产量。我们演示了边长的平方制造石墨烯膜从110年7µmµm,和暂停证明群众组成的固体硅立方体,从5µmµm×5×16.4µmµm 100×100µm×16.4µm大小。我们的方法与晶片级MEMS和半导体制造技术兼容，悬浮阻性质量石墨烯薄膜的制造率为>90%，其中>70%的石墨烯薄膜具有>90%的石墨烯面积，且无明显缺陷。所实现结构的测量共振频率范围从几十到几百千赫，质量因数范围从63到148。具有悬浮证明质量的石墨烯薄膜非常坚固，能够承受原子力显微镜(AFM)尖端约7000神经网络的压痕力。该方法可用于可靠的、大规模的石墨烯薄膜悬浮物的制造，这将使具有新功能和改进性能的创新NEMS器件的开发和研究成为可能。
