《俄极大提高量子点自发发射率 光致发光强度增加近一个数量级》

  • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者: 冯瑞华
  • 发布时间:2020-09-02
  • 俄罗斯国立核研究大学研究人员首次提高了量子点的自发发射率,并使其。这一成果可用于解决创建量子计算机的关键问题,也可将生物医学监测技术提升到一个新的水平。相关研究发表在最近的《光学快报》上。

    量子点是低维荧光纳米结构,在光与物质相互作用领域有着极大应用潜力。量子点能够在非常广的范围内吸收光,在长波的很窄区间发射光,即某一特定的颜色决定一个量子点的“发光”。这些特性使其非常适合生物体的超灵敏多色配准,用于医学诊断。

    此外,从照明器材、太阳能电池到量子计算的量子位,都是量子点的应用范畴。量子点在光稳定性和亮度方面优于传统的荧光粉。量子点显示器的亮度和对比度比其他显示器要高得多,且能耗小。

    俄罗斯国立核研究大学生物医学工程物理研究所纳米生物工程实验室研究人员,首次在基于多孔硅的光子结构中提升了半导体量子点的光致发光强度和自发发射率。这一成果代表了一种通过改变多孔基质中磷光体的局部电磁环境,来控制自发光的新方法,为生物传感、光电子学、密码学和量子计算的应用开拓了新的前景。

    首先,该成果可以作为开发紧凑型荧光生物传感器的良好基础,通过使用光子晶体增强荧光量子点,可显著提高化验分析的灵敏度,进行疾病的早期诊断和治疗。另外,该成果可作为光学计算机或密码系统的新元件,以代替大规模的单光子或光学逻辑元件。在这一领域中,除了紧凑和简单之外,使用该成果还可以解决该行业的关键问题——“按需”获得单光子或量子纠缠。

    研究人员帕维尔·萨莫赫瓦洛夫表示,取得该项科研成果的主要原因是使用了光子晶体深度氧化技术,该技术可抑制荧光猝灭,减少吸收损失。要增强此类结构的发光性,有多种方法,其中尤其令人感兴趣的是使用光子晶体。光子晶体的折射率呈周期性变化,可使光子态密度局部增强,从而能够观察到发光材料自发辐射的强度和速度的提升效果。他称,多孔硅被广泛用于光子晶体的制造,可以精确控制折射率,易于制造和吸收,因此与其他材料相比具有优势。

    总编辑圈点

    量子点是一种特殊的半导体纳米材料,是纳米尺度上原子和分子的集合体。它利用的是半导体能级在尺度极小之后的量子化现象。控制了量子点的大小,就能改变它的能量结构。在光稳定性和亮度方面,量子点的表现优于传统发光材料。这次俄罗斯科学家的主要成果,是提高了量子点的发光强度。发光强度提高后,在作为光学器件时,它的性能表现会更加优越。能有这样的成效,也是因为科研人员使用了光子晶体深度氧化技术,减少了吸收损失。

  • 原文来源:http://digitalpaper.stdaily.com/http_www.kjrb.com/kjrb/html/2020-09/02/content_452945.htm?div=-1
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    • 量子点(QD)具有荧光量子产率高、单色性佳、发射光谱随尺寸连续可调、光化学稳定性和热稳定性强等优点,被认为是下一代平板显示和固态照明应用中最具潜力的候选材料。量子点发光二极管(QD-LED)具有出色的效率,色纯度,可靠性,并且可通过具有成本效益的制造方式实现规模化生产,因此是大面板显示器的理想选择。 目前,红色、绿色和蓝色QD-LED的外量子效率(EQE)分别达到了20.5%,23.9%和19.8%。而且,红色和绿色QD-LED均可以实现高亮度下的长寿命,分别为T95= 3,800 h和T95 = 2,500 h(T95,亮度降低到初始值的95%的时间)。相比之下,蓝色QD-LED的稳定性却差很多,主要的原因如下:1)非辐射重组;2)蓝色量子点发光层和空穴传输层之间存在较大的注入势垒,使得过剩的电子在发光层和空穴传输层的界面处积累;3)电偏压下配体的不稳定性。此外,QD-LED的另一个亟需解决的问题是这些量子点中大部分含有有毒的镉成分。因此,改善器件的操作稳定性并避免使用有毒的镉成分,成为了QD-LED商用的关键问题。 2019年,三星先进技术研究院Eunjoo Jang团队便在《Nature》发文,报道了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法,其量子产率约为100%。经过优化的InP / ZnSe / ZnS QD-LED的最大外量子效率为21.4%,最大亮度为100,000 cd m-2,在100cd m-2的条件下使用寿命长达一百万小时,该性能可与最新的含镉QD-LED媲美。 然而,InP的最佳控制发射波长太长,无法成为蓝色发射器,并且最高的光致发光量子产率仅为76%。尽管有报道 InP/GaP/ZnS QD在480 nm处可以达到81%的光致发光量子产率,但EQE却低至1%。最近,ZnTeSe QD-LEDs将EQE 提高到 4.2%,但是其寿命短(200 cd m-2时T50 = 5min;亮度降低到初始值的50%所需的时间)。因此,开发无镉蓝光QD-LED仍然是一大挑战。 为了克服上述挑战, Eunjoo Jang团队继2019年后再次在《Nature》发文,报道了一种量子产率为100%的无镉蓝光ZnTeSe / ZnSe / ZnS量子点的合成。所得的器件显示出高达20.2%的EQE,亮度为88,900 cd m-2,在100 cd m-2时T50 = 15,850 h,这是迄今为止蓝光QD-LED报道的最高值!   文章亮点:   1)通过调整ZnTeSe核中Te掺杂,以在457 nm处实现完美的蓝光发射波长。 2)氢氟酸和氯化锌的添加可以消除ZnSe晶体结构中的堆叠缺陷并钝化表面悬空缺陷,从而将光致发光量子产率提高100%。 3)进一步的Cl-处理取代了天然的脂族配体,可以有效改善热稳定性和电荷注入/传输。 4)发射层(EML)设计为具有梯度Cl浓度的双堆叠结构,以促进空穴传输,从而提高器件的整体性能。 图文详情 一、ZnTeSe/ZnSe/ZnS (C/S/S)QDs蓝光量子点的合成和表征 图1:ZnTeSe/ZnSe/ZnS (C/S/S)QDs蓝光量子点的表征 要点一:在ZnTeSe核(直径3.1nm)中Te / Se的摩尔比为6.7mol%,以调节蓝色区域(457nm)中的发射波长。 要点二: ZnSe和ZnS壳的厚度分别为2.6 nm和1.2 nm。随着ZnSe壳层的生长,容易产生堆垛层错,促进了非辐射重组。 要点三:在壳生长过程中添加了ZnCl2和氢氟酸(HF), 几乎完全消除了堆垛层错,从而使光致发光的量子产率提高了93%。其中,ZnCl2能够取代庞大的配体,而HF能够通过质子化分离配体。 二、探究氯化物钝化表面缺陷的原因 在LED中使用C/S/S QD之前,通过两个配体交换步骤将天然油酸(OA)配体替换为ZnCl2:液相处理(表示为C / S / S-Cl(l))和洗膜处理(C / S / S-Cl(f))(图2a)。 图2:氯化物钝化表面缺陷探究。 要点一:由于ZnCl2比OA提供更好的钝化表面缺陷,所以C / S / S-Cl(l)QD显示出100%的光致发光量子产率(图2b)。 要点二:DFT计算表明,与Zn悬空键结合的阴离子使表面能稳定,并且在所有可能的配位方面,Cl-配体优于Ac-。此外,态密度表明,钝化表面(Ac2 / Zn4)中接近价带最大值的中间能隙陷阱态被附加的Cl(Ac2Cl2 / Zn4)消除(图2d),这说明了改进配体交换后的光致发光量子产率。 要点三:Cl-钝化QD薄膜的热稳定性显着提高。C / S / S QD膜在150°C下烘烤后仅保留了初始光致发光强度的19%,而Cl-钝化的C / S / S-Cl(l)和C / S / S-Cl(f )薄膜保持了初始光致发光的76%和90%(图2e)。 三、ZnTeSe/ZnSe/ZnS QD-LEDs的性能表征 研究人员设计了具有由C / S / S-Cl(l)和C / S / S-Cl(f)层组成的双量子点发射层的QD-LED,以同时改善电荷注入/传输和复合。 图3:ZnTeSe/ZnSe/ZnS QD-LEDs的性能表征 要点一:与具有原始C / S / S的QD-LED相比,具有C / S / S-Cl(f)的QD-LED的电流密度在3.5 V时增加了200倍,并且开启电压降低到2.6 V。 要点二:具有C / S / S,C / S / S / -Cl(l)和C / S / S-Cl(f)的QD-LEDs的亮度分别为25,000 cd m-2、40,120 cd m-2和68,220 cd m-2,EQE分别为8.0%,10.2%和14.3%。 要点三:经过优化的器件在效率和亮度方面均显示出显着的提高,分别达到20.2%和88,900 cd m-2。而且,运行稳定性也显着提高;在650 cd m-2的初始亮度下,T50测得为442 h(图3f),这相当于在100 cd m-2的15850 h。 小结:总之,该工作报道了一种量子产率约为100%的蓝光量子点的合成方法。研究发现,氢氟酸和氯化锌添加剂可通过消除ZnSe晶体结构中的堆叠缺陷来有效提高发光效率。另外,通过液体或固体配体交换的氯化物钝化导致缓慢的辐射复合,高的热稳定性和有效的电荷传输性质。此外,具有梯度氯化物含量的双量子点发射层的设计,可以促进空穴传输,从而使得器件在理论极限下显示出效率,高亮度和长使用寿命。该工作报道的高效,稳定的蓝色QD-LEDs为开发基于量子点的电致发光全色显示器开辟了重要的途径。
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    • 胶体量子点(QDs)提高了越来越多的兴趣,作为可溶性和可调的光学增益材料。然而,特别是对于红外有源QDs来说,光学增益仍然是低效率的。由于受激发射涉及多重退化带边状态,只有在高泵功率的情况下才能达到人口反演,且必须与有效的多激子重组相竞争。在这里,我们展示了水星碲化(HgTe)QDs在近红外的电信窗口中所显示的尺寸可调节的辐射,这是之前所研究的任何QD所无法比拟的。我们将这种独特的行为归因于在带宽上的表面局部状态,将HgTe QDs转换为4级系统。由此产生的长时间的人口倒置导致了连续波光泵在功率水平上的放大,与太阳辐射和直接电流的电泵相匹配。这些结果为基于有意陷阱状态的低阈值增益介质提供了一种替代方法,为解决方案处理的红外QD激光器和放大器铺平了道路。 ——文章发布于2017年10月09日