《三星再发《Nature》,或将引发量子点显示技术新革命》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-10-16
  • 量子点(QD)具有荧光量子产率高、单色性佳、发射光谱随尺寸连续可调、光化学稳定性和热稳定性强等优点,被认为是下一代平板显示和固态照明应用中最具潜力的候选材料。量子点发光二极管(QD-LED)具有出色的效率,色纯度,可靠性,并且可通过具有成本效益的制造方式实现规模化生产,因此是大面板显示器的理想选择。


    目前,红色、绿色和蓝色QD-LED的外量子效率(EQE)分别达到了20.5%,23.9%和19.8%。而且,红色和绿色QD-LED均可以实现高亮度下的长寿命,分别为T95= 3,800 h和T95 = 2,500 h(T95,亮度降低到初始值的95%的时间)。相比之下,蓝色QD-LED的稳定性却差很多,主要的原因如下:1)非辐射重组;2)蓝色量子点发光层和空穴传输层之间存在较大的注入势垒,使得过剩的电子在发光层和空穴传输层的界面处积累;3)电偏压下配体的不稳定性。此外,QD-LED的另一个亟需解决的问题是这些量子点中大部分含有有毒的镉成分。因此,改善器件的操作稳定性并避免使用有毒的镉成分,成为了QD-LED商用的关键问题。

    2019年,三星先进技术研究院Eunjoo Jang团队便在《Nature》发文,报道了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法,其量子产率约为100%。经过优化的InP / ZnSe / ZnS QD-LED的最大外量子效率为21.4%,最大亮度为100,000 cd m-2,在100cd m-2的条件下使用寿命长达一百万小时,该性能可与最新的含镉QD-LED媲美。

    然而,InP的最佳控制发射波长太长,无法成为蓝色发射器,并且最高的光致发光量子产率仅为76%。尽管有报道 InP/GaP/ZnS QD在480 nm处可以达到81%的光致发光量子产率,但EQE却低至1%。最近,ZnTeSe QD-LEDs将EQE 提高到 4.2%,但是其寿命短(200 cd m-2时T50 = 5min;亮度降低到初始值的50%所需的时间)。因此,开发无镉蓝光QD-LED仍然是一大挑战。

    为了克服上述挑战, Eunjoo Jang团队继2019年后再次在《Nature》发文,报道了一种量子产率为100%的无镉蓝光ZnTeSe / ZnSe / ZnS量子点的合成。所得的器件显示出高达20.2%的EQE,亮度为88,900 cd m-2,在100 cd m-2时T50 = 15,850 h,这是迄今为止蓝光QD-LED报道的最高值!

     

    文章亮点:

     

    1)通过调整ZnTeSe核中Te掺杂,以在457 nm处实现完美的蓝光发射波长。

    2)氢氟酸和氯化锌的添加可以消除ZnSe晶体结构中的堆叠缺陷并钝化表面悬空缺陷,从而将光致发光量子产率提高100%。

    3)进一步的Cl-处理取代了天然的脂族配体,可以有效改善热稳定性和电荷注入/传输。

    4)发射层(EML)设计为具有梯度Cl浓度的双堆叠结构,以促进空穴传输,从而提高器件的整体性能。


    图文详情

    一、ZnTeSe/ZnSe/ZnS (C/S/S)QDs蓝光量子点的合成和表征

    图1:ZnTeSe/ZnSe/ZnS (C/S/S)QDs蓝光量子点的表征


    要点一:在ZnTeSe核(直径3.1nm)中Te / Se的摩尔比为6.7mol%,以调节蓝色区域(457nm)中的发射波长。


    要点二: ZnSe和ZnS壳的厚度分别为2.6 nm和1.2 nm。随着ZnSe壳层的生长,容易产生堆垛层错,促进了非辐射重组。


    要点三:在壳生长过程中添加了ZnCl2和氢氟酸(HF), 几乎完全消除了堆垛层错,从而使光致发光的量子产率提高了93%。其中,ZnCl2能够取代庞大的配体,而HF能够通过质子化分离配体。


    二、探究氯化物钝化表面缺陷的原因

    在LED中使用C/S/S QD之前,通过两个配体交换步骤将天然油酸(OA)配体替换为ZnCl2:液相处理(表示为C / S / S-Cl(l))和洗膜处理(C / S / S-Cl(f))(图2a)。

    图2:氯化物钝化表面缺陷探究。


    要点一:由于ZnCl2比OA提供更好的钝化表面缺陷,所以C / S / S-Cl(l)QD显示出100%的光致发光量子产率(图2b)。


    要点二:DFT计算表明,与Zn悬空键结合的阴离子使表面能稳定,并且在所有可能的配位方面,Cl-配体优于Ac-。此外,态密度表明,钝化表面(Ac2 / Zn4)中接近价带最大值的中间能隙陷阱态被附加的Cl(Ac2Cl2 / Zn4)消除(图2d),这说明了改进配体交换后的光致发光量子产率。


    要点三:Cl-钝化QD薄膜的热稳定性显着提高。C / S / S QD膜在150°C下烘烤后仅保留了初始光致发光强度的19%,而Cl-钝化的C / S / S-Cl(l)和C / S / S-Cl(f )薄膜保持了初始光致发光的76%和90%(图2e)。


    三、ZnTeSe/ZnSe/ZnS QD-LEDs的性能表征

    研究人员设计了具有由C / S / S-Cl(l)和C / S / S-Cl(f)层组成的双量子点发射层的QD-LED,以同时改善电荷注入/传输和复合。

    图3:ZnTeSe/ZnSe/ZnS QD-LEDs的性能表征

    要点一:与具有原始C / S / S的QD-LED相比,具有C / S / S-Cl(f)的QD-LED的电流密度在3.5 V时增加了200倍,并且开启电压降低到2.6 V。

    要点二:具有C / S / S,C / S / S / -Cl(l)和C / S / S-Cl(f)的QD-LEDs的亮度分别为25,000 cd m-2、40,120 cd m-2和68,220 cd m-2,EQE分别为8.0%,10.2%和14.3%。

    要点三:经过优化的器件在效率和亮度方面均显示出显着的提高,分别达到20.2%和88,900 cd m-2。而且,运行稳定性也显着提高;在650 cd m-2的初始亮度下,T50测得为442 h(图3f),这相当于在100 cd m-2的15850 h。

    小结:总之,该工作报道了一种量子产率约为100%的蓝光量子点的合成方法。研究发现,氢氟酸和氯化锌添加剂可通过消除ZnSe晶体结构中的堆叠缺陷来有效提高发光效率。另外,通过液体或固体配体交换的氯化物钝化导致缓慢的辐射复合,高的热稳定性和有效的电荷传输性质。此外,具有梯度氯化物含量的双量子点发射层的设计,可以促进空穴传输,从而使得器件在理论极限下显示出效率,高亮度和长使用寿命。该工作报道的高效,稳定的蓝色QD-LEDs为开发基于量子点的电致发光全色显示器开辟了重要的途径。

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