《纳米晶NZO薄膜的合成、表征和光催化性能。》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2018-03-28
  • 采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上合成了纳米晶镍掺杂ZnO (NZO)薄膜。利用x射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、紫外-可见分光光度法和光致发光(PL)研究了退火对纳米晶薄膜结构和光学性能的影响。结果表明,退火温度对纳米晶NZO薄膜的物理性能有很大的影响。利用罗丹明- b水溶液对纳米晶NZO薄膜的光催化性能进行了评价。随着退火温度的升高,纳米晶NZO薄膜的光催化活性增加。结果表明,纳米晶粒薄膜的结构、形貌和能带间隙能在光催化活性中起着重要的作用。

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    • 编译者:郭文姣
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    • 金属催化化学气相沉积(CVD)已广泛应用于高质量石墨烯的大规模生产。然而,有必要对目标基板进行以下的转移过程,这与目前的硅技术是不兼容的。我们在这里报告一个新的CVD方法形成nanographene和nanographite电影直接与准确的厚度控制二氧化硅等非催化底物和石英在800°C。生长时间短至几秒钟。该方法包括9-bis(二乙胺基)硅镧系作为碳源和原子层沉积(ALD)控制系统。利用原子力显微镜、高分辨透射电镜、拉曼散射、x射线光谱学等方法,对形成的纳米薄膜和纳米薄膜的结构进行了表征。纳米级薄膜的透射率在550 nm处高于80%,在室温下,每平方电阻片电阻为2000欧姆。同时也观察了纳米膜电阻的负温度依赖性。此外,薄膜的厚度可以通过使用ALD系统的沉积周期精确地控制,从而促进光电和热电子器件的巨大应用潜力。 ——文章发布于2018年3月28日
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