金属催化化学气相沉积(CVD)已广泛应用于高质量石墨烯的大规模生产。然而,有必要对目标基板进行以下的转移过程,这与目前的硅技术是不兼容的。我们在这里报告一个新的CVD方法形成nanographene和nanographite电影直接与准确的厚度控制二氧化硅等非催化底物和石英在800°C。生长时间短至几秒钟。该方法包括9-bis(二乙胺基)硅镧系作为碳源和原子层沉积(ALD)控制系统。利用原子力显微镜、高分辨透射电镜、拉曼散射、x射线光谱学等方法,对形成的纳米薄膜和纳米薄膜的结构进行了表征。纳米级薄膜的透射率在550 nm处高于80%,在室温下,每平方电阻片电阻为2000欧姆。同时也观察了纳米膜电阻的负温度依赖性。此外,薄膜的厚度可以通过使用ALD系统的沉积周期精确地控制,从而促进光电和热电子器件的巨大应用潜力。
——文章发布于2018年3月28日