【内容概述】据电子产品世界7月28日报道,由北京大学和中国人民大学团队领导的研究于 2024 年 5 月 10 日发表在著名期刊《科学》上,设计了一种新方法来克服阻碍硒化铟广泛使用的关键瓶颈。与硅相比,这种半导体具有固有的优势,包括未来电子设备的潜在更高性能和更低能耗。研究人员成功生产出直径为 5 厘米(2 英寸)的均匀硒化铟晶圆,这是迈向工业规模制造的重要一步。更重要的是,他们通过直接在这些晶圆上构建大规模的高性能晶体管阵列,证明了这种材料的实际可行性。
这一突破的影响远远超出了实验室的范围。随着硅芯片在不产生过多功耗和发热的情况下保持性能提升面临越来越大的困难,硒化铟等替代品变得至关重要。其独特的结构和电子特性可以实现:更快的计算:电子迁移率明显高于硅的潜力。更低的功耗:更高效的运营,对于移动设备和大型数据中心至关重要。高级应用:对新型计算架构和专用传感器的潜在适用性。