中国南京邮电大学一直致力于硅上的单片近紫外（UV）光电组合，包括波导连接的氮化铟氮（InGaN）多量子阱（MQW）二极管。二极管器件能够在实时全双工设置中生成和检测编码音频流的光信号。
在（111）硅上生长阶梯级氮化铝和氮化铝镓层的缓冲层。该材料被制成两个二极管器件，由一个悬浮波导连接。 通过背面蚀刻局部去除硅衬底来实现波导悬浮，移除后由于材料内部应力变化而使发射波长偏移。研究人员发现圆形探测二极管的发射光谱和响应光谱的波长重叠40nm。
研究人员说：“自发光电流对抗产生注入电流的变化，表明自吸收可能与高注入条件下发光二极管的效率下降有关。在应用方面，单片多组分系统有巨大的潜力，如紫外线感应、固化、灭菌和片上功率监测等。”
