华南师范大学和北京大学开发了（100）硅上基于氮化镓（GaN）微丝阵列的紫外（UV）金属-半导体-金属(MSM)探测器。
研究人员使用自上而下的技术创建水平微丝，用300nm等离子体增强化学气相沉积（PECVD）二氧化硅层制备2英寸高电阻率（100）硅衬底，该二氧化硅层被图案化呈7μm硅间隙隔开的3μm条纹。用300nm AlN绝缘缓冲液的低压（100mbar）金属有机化学气相沉积（MOCVD）然后无意掺杂GaN制备微丝阵列。使导线与两个相隔20μm的图案化镍/金肖特基电极接触。
在2500μW/ cm2 325nm氦镉激光功率下，5.0V偏压，电流为2.71mA。暗电流为1.3μA，灵敏度为2.08×105％。研究人员声称，他们的紫外光电探测器在高紫外线灵敏度，高响应度和高EQE方面表现优于大多数单一GaN纳米/微电子和纳米线阵列光电探测器。
