《复旦大学在新型气敏材料及MEMS气敏器件研究中取得新进展》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-05-18
  • 近日,复旦大学微电子学院教授卢红亮团队首次结合硬模板法、原子层沉积技术和水热工艺,在低功耗MEMS器件上原位合成了单层有序SnO2纳米碗支化ZnO纳米线的多级异质复合纳米材料,并以此作为气体传感器,对浓度低至1 ppm的硫化氢实现了超灵敏和高选择性的探测。相关成果以“Hierarchical highly ordered SnO2 nanobowls branched ZnO nanowires for ultrasensitive and selective hydrogen sulfide gas sensing”为题发表于Microsystems & Nanoengineering上(https://doi.org/10.1038/s41378-020-0142-6)。

    近年来,基于金属氧化物半导体纳米材料的新型气体传感器受到了极大关注,已经广泛应用于气体泄漏警报、环境气体监测和工业气体分析等各个领域。工业生产中的常见产物H2S是危险的有害气体之一,对人体具有极大危害。微量的H2S就足以破坏人体呼吸系统,造成无意识的神经后遗症和心血管相关疾病。鉴于此,制备能够有效监测周围生活环境中H2S含量的超灵敏气体传感器具有重要意义,引起了广泛的研究兴趣。

    目前常见的传感器制备技术是将纳米传感材料印刷或滴涂到陶瓷管或MEMS器件上,极大地限制了传感器的可靠性和可重复性。因此,一种能够将纳米传感材料和MEMS微加热基底无缝集成的制备技术对于开发高稳定性和低功耗的高性能气体传感器至关重要。近年研发的一种原位合成单层大孔材料的硬膜板法能够较好地满足上述要求。原位制备工艺不仅适合晶圆级的制备,而且能够有效降低接触电阻,进一步提升器件性能。此外,单一敏感材料的气体传感器往往存在选择性差、响应/恢复时间长等问题。多级结构的构建有利于增加材料的比表面积,同时能够在母体和次级纳米结构间的界面形成更多的同质/异质结,已被广泛认为是有效提升气敏性能的方法之一。而考虑到不同材料间不同性能的协同效应,异质结构的纳米多级复合材料其气敏性能优于同质多级纳米结构。

    本项研究设计的MEMS式单层有序SnO2纳米碗支化ZnO纳米线器件在250oC的工作温度下,对1 ppm硫化氢的响应(Ra/Rg)高达6.24,其响应变化率(5.24)约为单层有序SnO2纳米碗器件的2.6倍,同时具有较快的响应/恢复速度。此外,研究人员对该MEMS式单层有序SnO2纳米碗支化ZnO纳米线器件的气敏性能重复测量了一个月,证实其具有较好的长期稳定性和可重复性。多级异质结构不仅有效增加了材料的比表面积,提升了材料的气体吸附能力,同时异质结提高了材料的气敏响应能力。此外,团队的传感材料原位制备于MEMS器件上,具有低功耗和可集成化的优势,为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。

    卢红亮领衔的智能微纳传感芯片及系统课题组正大力开展基于各种纳米复合材料的微纳智能传感器及集成系统的研究,包括气体传感器、光电传感器及微系统芯片等方面的应用探索。最近,多项微纳智能传感器研究成果已发表于Nano Energy、ACS Applied Materials & Interfaces、Microsystems & Nanoengineering和Sensors and Actuators B: Chemical等期刊。

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    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2020-05-27
    • 近日,复旦大学微电子学院教授卢红亮(通讯作者)领导的团队首次结合硬模板法、原子层沉积技术和水热工艺,在低功耗MEMS器件上原位合成了单层有序SnO2纳米碗支化ZnO纳米线的多级异质复合纳米材料,并以此作为气体传感器,对浓度低至1ppm的硫化氢实现了超灵敏和高选择性的探测。相关成果以《HierarchicalhighlyorderedSnO2nanobowlsbranchedZnOnanowiresforultrasensitiveandselectivehydrogensulfidegassensing》为题发表在国际顶级期刊Microsystems&Nanoengineering上(https://doi.org/10.1038/s41378-020-0142-6),此期刊由中国科学院电子学研究所与原Nature出版集团合作出版,是原Nature出版集团合作出版的第一本工程类期刊,在微系统与纳米工程领域已产生了广泛的影响。 近年来,基于金属氧化物半导体纳米材料的新型气体传感器受到了极大关注,已经广泛应用于气体泄漏警报、环境气体监测和工业气体分析等各个领域。工业生产中的常见产物H2S是危险的有害气体之一,其对人体具有极大危害。微量的H2S就足以破坏人体呼吸系统,造成无意识的神经后遗症和心血管相关疾病。鉴于此,制备能够有效监测周围生活环境中H2S含量的超灵敏气体传感器具有重要意义,引起了广泛的研究兴趣。 目前常见的传感器制备技术是将纳米传感材料印刷或滴涂到陶瓷管或MEMS器件上,极大地限制了传感器的可靠性和可重复性。因此,一种能够将纳米传感材料和MEMS微加热基底无缝集成的制备技术对于开发高稳定性和低功耗的高性能气体传感器至关重要。近年研发的一种原位合成单层大孔材料的硬膜板法能够较好地满足上述要求。原位制备工艺不仅适合晶圆级的制备,而且能够有效降低接触电阻,进一步提升器件性能。此外,单一敏感材料的气体传感器往往存在选择性差、响应/恢复时间长等问题。多级结构的构建有利于增加材料的比表面积,同时能够在母体和次级纳米结构间的界面形成更多的同质/异质结,已被广泛认为是有效提升气敏性能的方法之一。而考虑到不同材料间不同性能的协同效应,异质结构的纳米多级复合材料其气敏性能优于同质多级纳米结构。 本项研究设计的MEMS式单层有序SnO2纳米碗支化ZnO纳米线器件在250oC的工作温度下,对1ppm硫化氢的响应(Ra/Rg)高达6.24,其响应变化率(5.24)约为单层有序SnO2纳米碗器件的2.6倍,同时具有较快的响应/恢复速度。此外,对该MEMS式单层有序SnO2纳米碗支化ZnO纳米线器件的气敏性能重复测量了一个月,证实其具有较好的长期稳定性和可重复性。多级异质结构不仅有效增加了材料的比表面积,提升了材料的气体吸附能力,同时异质结提高了材料的气敏响应能力。此外,我们的传感材料原位制备于MEMS器件上,具有低功耗和可集成化的优势,为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。 卢红亮教授领衔的智能微纳传感芯片及系统课题组正大力开展基于各种纳米复合材料的微纳智能传感器及集成系统的研究,包括气体传感器、光电传感器及微系统芯片等方面的应用探索。
  • 《东南大学在二维材料缺陷工程研究中取得新进展》

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    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2018-09-13
    • 东南大学物理学院倪振华教授和王金兰教授课题组利用缺陷工程提升二维光电探测器件的性能,相关研究成果以 “ Defect Engineering for Modulating the Trap States in 2D Photoconductor” 为题发表在材料学领域重要刊物 Advanced Materials 上。 光电探测器是一种将光转变为电信号的器件,已经成为影响日常生活和科技、国防等领域的核心技术之一,诸如视频成像、光通信、生物医学成像、传感、夜视、安保、军事侦察等等。半导体材料中的缺陷态可以作为束缚中心 (Trapping center) 有效延长载流子寿命,引入光电导增益,从而大幅提高光电探测器的灵敏度。但是,束缚中心,特别是深能级束缚态 (Deep trap) 的引入,也同时会带来器件响应时间的急剧增加。这主要来源于载流子脱离缺陷态的束缚所额外需要的时间,取决于缺陷态能级的深浅(图一)。如何通过缺陷态以及束缚中心的控制,在保证器件高灵敏度的同时获得快速响应,是该领域一直以来所面临的难题 。相比于传统半导体材料,二维材料的能带结构可以通过表面和缺陷工程进行更加有效的调控,为上述难题的解决提供了理想的研究对象。 二维材料中包含种类丰富的缺陷,并对其电学、光学、磁学、机械等性能产生重要影响。 2018 年初,倪振华教授与新加坡国立大学陈伟教授课题组合作,在 Chemical Society Reviews 上发表了题为 “Two-dimensional transition metal dichalcogenides: interface and defect engineering” 的综述论文,详细分析了缺陷和界面态对二维硫属化合物电学和光电性能的影响,以及如何通过缺陷和界面工程调控二维电子 / 光电子器件的性能。 在本工作中,倪振华教授和王金兰教授课题组分别从实验和计算模拟入手,以二硫化铼( ReS 2 )为例,提出利用缺陷工程控制二维光电导器件中载流子的束缚态。研究结果显示,原卟啉( H 2 PP )分子中的氧原子会在 ReS 2 的硫空位处与周围的铼原子成键,并起到调控能带结构和缺陷能级的作用。相对于原始样品中深能级束缚态所主导的光电响应,改性后器件的光响应由浅能级束缚态以及复合中心所主导,响应速度提高了 3-4 个量级(图二)。此外, H 2 PP 分子与 ReS 2 之间存在较强的电荷转移,可以抽取 ReS 2 中的富余电子,进而大幅降低器件的暗电流和噪声,使得改性后器件的光探测率达到了 1.89x10^13 Jones 。本工作提供了一种通过缺陷工程调控半导体中光致载流子束缚态的研究思路,有利于同时实现光探测器中高灵敏度和快速响应这两个关键指标。 图 H 2 PP 分子改性前 / 后的 ReS 2 光探测器的响应时间曲线。 本文第一作者为东南大学物理学院博士生蒋杰和凌崇益,倪振华教授和王金兰教授为共同通讯作者。该工作受到国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的资助。