《Navitas的GaNFast功率IC可实现最薄的旅行适配器》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-03-05
  • 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多市的纳维斯半导体公司表示,其GaNFast功率集成电路正在被用于Mind One的Mu One,这是一款通用型45W电源适配器,具有14mm超薄外形。 GaN功率集成电路技术结合了新的USB-PD功率输送协议和C型连接器,可提供单一的全球超薄适配器,可为笔记本电脑充电或快速为任何智能手机充电。

    纳维斯称,新型高速氮化镓(GaN)功率集成电路的性能高达现有硅芯片的20倍。通过高频工作并同时提高效率,GaNFast功率IC可减小变压器,散热器和印刷电路板等元件的尺寸,重量和成本。

    纳维塔斯首席执行官Gene Sheridan认为:“随着我们的客户使用我们的GaNFast功率集成电路技术提供新一代电源适配器,消费者可以在未来几个月内预见到各种快速充电和高密度解决方案。”

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-02-24
    • Navitas半导体公司表示,其GaNFast充电技术已被中国的小米公司采用,用于其旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 Navitas表示,由于GaNFast电源IC的运行速度比早期的硅电源芯片快100倍,因此Mi 10 PRO从0充电到100%只需要45分钟。 氮化镓可实现极小的充电器尺寸和极高的充电效率。小米董事长兼首席执行官雷军表示:65W GaN充电器体积比小米10 PRO标配的65W传统充电器小了一半。 小米的65W GaN充电器核心器件使用的是Navitas的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它们针对高频、软开关拓扑进行了优化,通过FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的“数字输入,电源输出”高性能电源转化模块。使用GaNFast技术,小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是标准适配器尺寸的一半。 小米早些时候投资了Navitas,为这项合作奠定了基础。小米的战略是通过资本投资在产业链中建立上下游合作伙伴关系,并考虑投资和业务的双重利益,Navitas能够拓宽其销售渠道方面获得利益。 纳维塔斯首席执行官Gene Sheridan表示:“看到小米对新材料和新技术的开放态度,我感到非常高兴。从一开始,Navitas就专注于GaN材料的技术应用和创新。GaNFast功率IC是FET,驱动器和逻辑的单片集成,可实现极小的应用尺寸和高效率。对于希望走在前端、引领技术潮流的厂商,GaNFast技术会为他们的产品注入高性能和差异化。”
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-06-08
    • 美国Navitas半导体公司宣布推出采用6mm x 8mm PQFN封装的新型650V GaNFast电源IC,并具有专有的集成冷却垫,适用于高效率、高密度电源系统。 Navita专有的AllGaN工艺设计套件(PDK)将GaN功率场效应晶体管(FET)与GaN模拟和逻辑电路整体集成在一起,从而为移动、消费类、企业级应用、电动汽车和新能源市场提供了更高的充电速度、功率密度和节能性。 新型的NV612x系列GaNFast电源IC通过立即改善通过印刷电路板(PCB)的散热来提供散热解决方案。具有先进散热垫的6mm x 8mm系列产品的价格与现有5mm x 6mm GaNFast系列产品的价格相同,并且在某些情况下,新的低温技术可使设计人员替代较小的裸片版本,从而进一步降低系统成本。 新系列的650V额定功率IC(300mΩNV6123、175mΩ NV6125和125mΩNV6127)包括完整的栅极驱动和保护电路,以及采用6mm x 8mm表面贴装PQFN,低电感(高速)封装的GaN功率FET。 Navitas表示,GaNFast电源IC可以实现下一代升级,从适用于智能手机和笔记本电脑的25-100W消费类和移动USB-C快速充电器和适配器到200-800W电视和多合一计算机,甚至高达多千瓦电动汽车(EV)、工业和数据中心电源。 GaNFast电源IC极大地缩小了快速充电器和适配器中无源组件的尺寸和成本,NV612x系列可将温度降低10-15°C,并具有扩大的至PCB的热接口以及与系统地面的直接热和电连接,从而实现了世界上最高的功率密度,并通过了所有热规范和机构认证。