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《大族激光为宁德时代MOPA脉冲光纤激光器供应商》

  • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者： husisi
  • 发布时间：2022-03-25

  • 3月22日，大族激光回答投资者提问表示公司是宁德时代MOPA脉冲光纤激光器的供应商，该款激光器用于动力电池电芯制造的极片切割及其他工序。

    2021年公司营业总收入163．17亿元，较上年度增长36．63％。其中，新能源动力电池行业专用设备业务实现营业收入19．82亿元，较上年度增长631．51％。

    对于需求爆发的新能源动力电池领域，大族激光采取了一系列措施布局。2022年1月8日，大族激光董事长高云峰一行赴荆门高新区参观考察，并签订投资协议，拟在荆门高新区建设大族激光新能源智能装备华中总部项目。该新能源智能装备华中总部项目一期投资3亿元，租赁约15000平方米厂房建设全自动化智能数控装备生产线生产。项目二期投资7亿元，征地约100亩，与项目一期同步启动，进行高端装备制造产品研发、设计、生产和销售。全部达产后预计年销售额10亿元以上，综合税收5000万元以上。

    2021年9月22日，大族激光发布2则投资公告：一是拟在四川省宜宾市投资建设大族激光新能源智能装备生产基地项目，项目总投资15亿元；二是拟在江苏省张家港市投资建设大族激光华东区域总部基地项目，项目一期总投资不超过10亿元。

    华东地区经济发达，工业基础雄厚，聚集着众多新能源和机械制造领域大型企业，是大族激光在国内重要的市场之一。西南地区也是国内新能源产业最重要的聚集地之一。该两地的投资将进一步完善新能源动力电池装备业务的布局，扩充产能。同时，就近为下游客户提供配套服务。

    同时，对于动力电池领域，大族激光产品线由现有模切、装配、模组、烤箱等优势品类向涂布、卷绕、叠片、化成等高价值量设备拓展。大客户方面，2021年上半年大族激光合计中标宁德时代锂电池生产设备金额为10．03亿元人民币（含税）。2021年7月，大族激光与中航锂电签订战略合作协议，12月大族激光入股蜂巢能源。

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  • 《募资超11亿 国产光纤激光器龙头锐科激光成功上市 为华工、海目星主要供应商》
    • 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者：冯瑞华
    • 发布时间：2018-06-27
    • 2018年6月25日，武汉锐科光纤激光技术股份(简称锐科激光，股票代码：300747.SZ)上市敲钟仪式在深圳证券交易所隆重举行，标志着锐科激光开启了资本之路，进入跨越式发展的新征程！ 锐科激光成立于2007年，是一家拥有自主创新知识产权的国家级高新技术企业，专业从事光纤激光器及其关键器件与材料的研发、生成和销售。主营业务包括为激光制造装备集成商提供各类光纤激光器产品和应用解决方案，并为客户提供技术研发服务和定制化产品。锐科激光已经连续两年出货量超过1万台，与深圳市创鑫激光、深圳市杰普特光电等厂商一起，是中国国产光纤激光器的三大核心供应商。 锐科激光的产品主要是激光加工和增材制造装备核心部件的工业激光器，为国内光纤激光器的领头企业，用了11年的时间，逐步实现对国产光纤激光器领域各项空白的填补。锐科激光拥有国内一流的光纤激光器研发团队，核心管理层中三人是国家"相关人才计划"专家。在触摸与显示行业里，激光蚀刻机、激光切割机重要供应商华工激光、海目星激光，就是锐科激光的前五大重要客户之一。 实际上，锐科激光最早由海外从事过光纤激光器技术的相关工作的创始人、现任副董事长闫大鹏与武汉华工激光工程有限责任公司（下称"华工激光"）分别出资3000万元，合作创立，当时名字为"武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司"，专门从事大功率光纤激光器的原器件及激光器在中国的国产化和产业化研究。闫大鹏当时作为中组部的"相关人才计划"专家，回到国内进行创业。 2010年，锐科激光几款型号的光纤激光器研制成功、技术取得较大突破之时，航天三江看中公司的技术和发展前景，在锐科核心团队的支持下，从锐科激光原有的股东手中收购股份并对其进行增资，华工激光持股比例也由最初的50%下降至3.22%，为锐科激光开拓其它激光设备厂商客户扫除了障碍，锐科激光也开始走向实现光纤激光器的规模化生产的发展道路。11年来，锐科激光先后研制出我国第一台25W脉冲光纤激光器产品，第一台100W、1000W、4000W、6000W和10000W连续光纤激光器产品并形成批量化生产，成为国内第一家专门从事光纤激光器及核心器件研发并实现规模化生产的企业。 锐科激光本次拟公开发行新股不超过3,200万股人民币普通股，本次发行募集资金扣除发行费用后，将投资于大功率光纤激光器开发及产业化项目、中高功率半导体激光器产业化及研发与应用工程中心项目，总投资金额为111,915.43万元。 锐科激光表示，目前我国大功率光纤激光器及中高功率直接半导体激光器绝大部分依赖进口，主要是由于国内缺乏大功率光纤激光器及中高功率直接半导体激光器必需的关键元器件生产技术。目前全球大功率光纤激光器市场仍以欧美IPG公司、Coherent公司、Trumpf公司和nLight公司等知名光纤激光器企业为主导，产品价格和附加值相对较高，其中IPG占据绝对主导地位。 我国在半导体激光的输出光束整型、光纤耦合和封装方面取得了长足的发展，能够为中小功率光纤激光器提供泵浦源，但所用的半导体激光芯片绝大部分依赖进口。同时，光纤激光器使用的特种光纤（如增益光纤以及相匹配的被动光纤）大部分依赖进口。因此，开发大功率光纤激光器关键元器件生产技术、完善国内大功率光纤激光器产业链、实现大功率光纤激光器关键元器件的自主可控尤为必要。 锐科激光认为，随着功率的提升，光纤激光器的复杂程度和技术难度与中小功率光纤激光器相比呈几何级增加，公司现有的研发和试验条件、检测手段等已无法满足大功率光纤激光器产品试验、验证、测试的需要。锐科激光作为我国大功率光纤激光器国产化的先行者，实施中高功率半导体激光器产业化及研发与应用工程中心项目，是公司自身发展具有战略性的需要。 锐科激光的本次大功率光纤激光器开发及产业化项目、中高功率半导体激光器产业化及研发与应用工程中心项目，将促进我国大功率光纤激光器泵浦源、大功率光纤无源器件、半导体激光芯片及特种光纤的国产化，提升公司大功率光纤激光器和中高功率半导体激光器、所需的泵浦源、大功率光纤无源器件的研发和生产水平，并提高其稳定性和可靠性，降低大功率光纤激光器的制造成本，增强公司大功率光纤激光器及中高功率半导体激光器的国际竞争力。 光纤激光器具有转换效率高、光束质量好、体积小巧等优势。近年来，随着光纤激光技术的发展和下游行业需求的增加，光纤激光器市场规模保持快速增长。传统制造、汽车生产、重工制造等行业正越来越多的使用光纤激光器；同时，医疗美容、通信和航空航天领域也开始使用光纤激光器。 光纤激光器是焊接、切割、3D打印、深雕刻、表面清洗、精细微加工等激光加工工艺的核心部件，在激光焊接、熔覆和增材制造等领域作为新一代激光光源有逐步取代传统的固体激光器和二氧化碳激光器的趋势。近年来，激光加工工艺在智能手机制造行业也得到了广泛的应用，光纤激光器也开始在智能手机各个加工环节中发挥越来越重要的作用。 以智能手机的触摸与显示器件为例，自从苹果把电容式触摸屏技术应用在手机上之后，电容触摸屏的高灵敏与高透过率两大优点，在极短的时间内，就把物理键盘和电阻式触摸屏两大产品，从手机行业应用上拉下马来。电容触摸屏产品从苹果大规模采用到完全普及到整个智能手机市场，只用了不到五年的时间。 但由于受专利以及设备的限制，中国的电容触摸屏市场和生产厂商，在经过了多轮的技术与市场试错后，最后还是选择了专利期满的原始电容式触摸屏结构模式--GFF双层独立传感器电容触摸屏。 在促使中国GFF电容触摸屏行业快速发展，并形成全球最大规模产能的背后，激光加工工艺在其中起到的作用功不可没。其中激光切割下料、激光线路蚀刻两个工艺，为解决行业加工产能提升、产品性能升级打下了坚实的基础，同时激光加工工艺在触摸屏行业的应用经验积累，也促进了国产激光器与激光设备的快速发展。 实际上在整个智能手机产业中，随着国产激光器技术的不断进步，产品不断升级，除了触摸屏加工外，越来越多的零组件生产都开始采用激光加工方式，如常见的元器件激光打标、结构件的激光切割/雕刻/焊接、软硬线路板的激光切割/蚀刻/焊锡、显示器件的异形激光切割/辅材剥离/线路激光蚀刻与修复、半导体芯片的激光蚀刻加工/晶圆激光切割等等，激光加工工艺可以说已经深入到了智能手机制造的各个核心工序环节。 锐科激光表示，下一步目标是实现产品国内市场占有率第一、国际前三，全力推进"一二三"建设工程，即：建设一个国际一流大功率光纤激光器技术和应用研发中心；建设两个国际先进的大功率光纤激光器和高亮度半导体激光器工艺与测试实验平台；建设三条光纤激光器相关现代化柔性生产线，最终实现核心技术和产品完全自主可控。 相关统计数据显示，中国从2015年开始取代欧洲，首次成为全球激光器最大的消费市场，市场规模增长至28亿美元左右，约占全球市场规模的29%。随着《中国制造2025》等政策的实施，我国正逐步由制造大国向制造强国转变，以高速列车、大飞机、海洋装备等为代表的新一代中国装备制造业正在改变世界产业格局，给国内大功率激光加工设备带来了巨大的市场空间。
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  • 《硅基连续波QDash激光器》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2020-12-06
    • 中国香港科技大学（HKUST）宣称制造了首个硅基连续波（CW）C波段（?1580nm波长）QDash激光二极管，其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外，此类器件还可以用于光检测和测距（LiDAR）组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓（GaAs），作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环，可降低此缓冲区中的缺陷密度，并将x射线衍射（XRD）摇摆曲线半最大宽度（FWHM）从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中，平面Si（GoPS）上GaAs的均方根（RMS）表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长：445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP，超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜（TEM）分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值，标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”（DWELL）QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间，即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制，改变折射率对比和层厚度，研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长，点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高，从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C，样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制，但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器，生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中，第一台面终止于有源区上方，第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前，将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波（CW）工作时不会发光。同样，样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下，样品B激光二极管的特征温度（T0）反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化（脊向下一步形成到n-InP触点）使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中，可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大，发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成，支持多种Fabry-Perot模式。
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