《II-VI和Sumitomo合作开发150mm GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-11-04
  • 美国的工程材料公司II-VI Inc宣布与日本住友电气工业株式会社的子公司日本住友电器设备创新公司(SEDI)展开战略合作,建立垂直整合的150mm晶圆制造平台,制造碳化硅上的氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,来用于下一代5G无线网络。

    II-VI认为,其在150mm化合物半导体制造方面的专业知识可以与SEDI的GaN RF器件技术相结合,这样能够使各方为5G RF的制造提出最好的解决方案,从而扩大生产规模和降低生产成本。

    SEDI的企业总监Keiichi Imamura评论道:“II-VI已积极投资建设世界级的150mm化合物半导体制造平台,我们将利用II-VI的制造平台实现经济的生产并扩大生产规模,以便在未来可以使我们能够满足全球对GaN-on-SiC HEMT器件的需求。”

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称首次制造了氮化镓(GaN)磁性高电子迁移率晶体管(MagHEMT)。 这些器件采用分流式漏极,可以评估由与磁场相互作用而引起的电子路径偏差。 并且这些器件的相对灵敏度由漏极端子之间的电流差相对于特斯拉(T)中磁场上的总漏极电流产生。 磁传感器广泛用于工程系统中的控制,涵盖航空、汽车和工业应用。研究人员使用实验结果来校准一系列旨在优化性能的模拟。该模型表明,在参数变化的器件中,L =65μm,W =20μm,LS =5.5μm,WS =5.0μm,可以在零栅极电位和0.5V漏极偏压下实现23.29%/ T的灵敏度提高,此时WDD =5μm,LG =5.0μm,LGD =10μm。 研究人员进一步在高达500K的温度下进行了模拟,表明在恶劣环境下更有希望进行GaN磁传感器的操作。
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    • 编译者:Lightfeng
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    • 美国加利福尼亚州El Segundo的Integra Technologies Inc(ITI)公司(一家可制造高功率RF和微波晶体管和功率放大器模块的公司)正在向设计人员提供GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)评估套件,以便评估高功率放大器的设计技术。 每个套件都是专门定制,包括设计人员选择的晶体管型号(可提供部分或完全匹配的选项),也包括安装和测试的晶体管的测试夹具,以及个备用器件。 Integra技术团队在一些关键条件下测出的完整RF测试结果也可作为参考指南提供。并且“Integra技术的处理和调整GaN-on-SiC HEMT评估套件”可以从Integra的网站下载。 该套件可以免费借用30天,如果需要可以延长或者购买。