近日，一个由美国纽约城市大学Riedo教授领导国际研究小组，在制造纳米芯片方面取得了突破性进展，可能对纳米芯片的生产和技术产生深远影响。研究称新型的热扫描探针光刻技术（t-SPL）比传统电子束光刻技术（EBL）相比具有明显的优势。相关成果发表在最新一期的《Nature Electronics》。
论文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-018-0191-0
更小、更快的半导体二维材料是科学家一直追求的目标。该研究称，基于二维半导体材料二硫化钼的金属电极制造技术，采用100℃探针光刻技术效果优于标准的制造技术。这种过渡金属可能会取代硅，成为原子级芯片的材料之一。
与传统光刻技术相比，该热光刻技术显著的提升了二维晶体管的质量，芯片设计人员能够对二维半导体材料成像，并对电极进行图像化处理。此外，热光刻技术可以节省大量成本，降低功耗，并不需要采用高能电子和超高真空。
据美国纽约城市大学报道，Riedo希望热光刻技术能将大部分制造技术从洁净室转移到实验室，这便于快速的推进材料科学和芯片设计的发展。当热光刻技术的分辨率达到10nm，可使用120伏的标准电源，热光刻技术就会像3D打印技术一样出现在实验室。
