多色LED阵列包含8个不同的LED单元。最多可同时使用八个独立的波分复用通道。研究人员为该系统编写了先进的数字信号处理技术程序,包括离散多音调制/解调程序、数字预均衡技术和基于神经网络的软件后均衡器。研究人员通过对GaN基LED的物理模型仿真和V型器件的等效电路建模,研究了V型结构再GaN基LED中的作用。
结果表明,V形坑可以使GaN基LED系统实现更高的电光转换效率和更宽的带宽。研究人员得出结论,在理论上,V坑结构对LED系统的通信性能有积极的影响。他们在实验室用一个真实的通信系统进行了实验验证。
该系统的大通道容量表明,多色、V型结构增强、基于GaN的LED阵列是6G的一种有前途的技术。等效电路模型和仿真结果表明,V形凹坑显著提高了器件的性能和电光特性,以及对高频信号的响应。研究人员说,最大的改进归因于V形凹坑的使用是在绿色和黄色光谱。这一发现表明,VLC中的“黄色间隙”问题可以通过使用V形结构来解决,从而在绿色和黄色波长中获得有高通信速率。