《Eliyan在3nm工艺上为NuLink-2.0 PHY交付第一块采用3nm工艺制造的硅》

  • 来源专题:新一代信息技术
  • 编译者: isticzz2022
  • 发布时间:2024-10-11
  •        Eliyan已成功为NuLink-2.0 PHY交付了第一块采用3nm工艺制造的硅。该器件实现了64Gbps/bump,这是业界针对多管芯架构的管芯到管芯PHY解决方案的最高性能,同时兼容UCIe标准,Eliyan能够在标准和先进封装的情况下将管芯连接扩展2倍的带宽,并提高了功率、面积和延迟。

           NuLink-2.0是一种多模式PHY解决方案,还支持UMI(通用内存互连),UMI是一种小芯片互连技术,可将芯片到内存的带宽效率提高2倍以上。UMI利用动态双向PHY,其规范目前正在与开放计算项目(OCP)最终确定为BoW 2.1。NuLink-2.0演示车使用5-2-5和8-2-8堆叠的标准有机/层压包装。高面积效率的NuLink PHY受到凸块限制,不仅适用于标准封装中90um凸块间距以下,也适用于高级封装中45-55um凸块节距以下。通过利用创新的反射和串扰消除技术,它可以在标准封装中提供高达5Tbps/mm的带宽,通过利用无端接接收器和简化消除电路,在先进封装中以较低的功耗提供高达21Tbps/mm。

           NuLink的低功耗使其成为一种合适的PHY解决方案,可以满足定制HBM4基片的严格功率密度要求,这是未来所有AI系统的关键部分。该设备包括一个与适配器/链路层控制器IP耦合的管芯到管芯PHY,以提供完整的解决方案,与高性能计算和边缘应用的高增长人工智能市场保持一致。通过使用标准封装来降低成本,将有助于进一步鼓励推理和游戏领域以及其他邻近市场的基于小芯片的设计,因为它们更容易满足航空航天、汽车和要求苛刻的工业市场的要求。

           Eliyan的创始首席执行官Ramin Farjadrad表示:“这一里程碑为实施广泛的多芯片用例树立了Perf/TCO优势的新标准。仅凭性能就扩大了建筑师在移除或减少内存和IO墙方面的自由度。结合前所未有的低功耗和封装技术的灵活性,以实现围绕成本和复杂性的市场特定优化,我们能够提供一种解决方案,帮助将基于小芯片的设计扩展到不同行业的新水平。”


  • 原文来源:https://www.newelectronics.co.uk/content/news/eliyan-delivers-silicon-for-nulink-20-phy-on-3nm-process
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