《天津大学报道场致外尔半金属ErAuSn中的巨负磁阻效应与量子振荡》

  • 来源专题:关键原材料知识服务平台
  • 编译者: 费鹏飞
  • 发布时间:2025-06-23
  • 6月1日,天津大学在《Advanced Functional Materials》上发表题为“Large negative magnetoresistance and quantum oscillation in a field-induced weyl semimetal ErAuSn”的论文,报道了场致外尔半金属ErAuSn中的巨负磁阻效应与量子振荡。

    拓扑半金属中因手性磁反常效应导致的巨负磁阻(MR)现象的发现,引发了基础研究与技术应用领域的广泛关注。然而该现象要求磁场必须平行于电流方向,极大限制了实际应用。

    研究人员报道了反铁磁半赫斯勒化合物ErAuSn中高达97%的巨负磁阻效应,其不受晶体取向或磁场配置限制。通过高场舒勃尼科夫-德哈斯(Shubnikov-de Haas)振荡与第一性原理计算的联合研究,揭示了铒磁矩场致取向的核心作用——该过程导致电子能带结构剧变,并诱发半导体态向外尔半金属态的相变。这一发现不仅为探索巨负磁阻材料提供了新思路,更为在磁性半赫斯勒化合物体系中实现拓扑电子态开辟了道路。

  • 原文来源:https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202505276
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